中國粉體網(wǎng)訊 目前,用于SiC晶體生長的主要技術(shù)包括物理氣相輸運(PVT)法,、高溫化學(xué)氣相沉積( HTCVD)法,,以及頂部籽晶溶液生長(TSSG)法,。其中,,PVT法作為現(xiàn)階段發(fā)展最為成熟、應(yīng)用最廣且商業(yè)化程度最高的SiC單晶[更多]
用微信掃碼二維碼分享至好友和朋友圈