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Post-CMP清洗設備
Post-CMP清洗設備

參考價格

面議

型號

Post-CMP清洗設備

品牌

盛美半導體

產地

美國

樣本

暫無
盛美半導體設備(上海)股份有限公司

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主要優(yōu)勢

在CMP步驟之后,,需要在低溫下使用稀釋的化學品進行物理預清洗工藝,,以減少顆粒數量。盛美上海的Post-CMP清洗設備能夠滿足這些要求,,并提供多種配置,,包括盛美上海自主研發(fā)的 Smart MegasonixTM先進清洗技術。

 


特性和規(guī)格(Ultra C WPN(WIDO))

在線預清洗設備:
    可實現37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下
    20-25個剩余顆粒
    金屬污染可控制在1E+8(原子/平方厘米)以內
    當配置4個腔體的時候,,產能可達每小時35片晶圓

 

離線預清洗設備:
    可實現37納米以下少于15個剩余顆粒或28納米以下
    20-25個剩余顆粒
    占地面積小




特性和規(guī)格(Ultra C WPN(DIDO))

可配置四個裝載端口

占地面積小

可配置四或六個腔體,,分別為兩個軟刷和兩個清洗腔體或兩個軟刷和四個清洗腔體

可實現37納米以下少于15個剩余顆?;?8納米以下20-25個剩余顆粒

**產能可達每小時60片晶圓


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10分

易用性

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性價比

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