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設(shè)備簡(jiǎn)介 手動(dòng),、半自動(dòng),、全自動(dòng)槽式蝕刻清洗設(shè)備廣泛應(yīng)用于CMP前后清洗 工藝。且兼容2/3/4/6,、8/12寸產(chǎn)品,。 可以用于對(duì)晶圓表面、背面及晶圓邊緣的清洗,，通過自主創(chuàng)新的二 流體噴嘴技術(shù)可將附著在晶圓表面的細(xì)微顆粒污染物實(shí)現(xiàn)高效去除,。 可以選配兆聲波/超聲波系統(tǒng)、管路防靜電等配置等,。 可提供多個(gè)槽體進(jìn)行使用化學(xué)藥液或純水,，結(jié)合噴淋、溢流,、快速 沖洗等清洗方式,，配合先進(jìn)的IPA干燥方式，可同時(shí)對(duì)應(yīng)25或50片進(jìn) 行工藝處理,。 系統(tǒng)非常安全,，具有“沖洗至pH”功能，可在接觸基質(zhì)之前去除腔 室內(nèi)的任何化學(xué)物質(zhì),。 

產(chǎn)品特點(diǎn) u 全自動(dòng)化學(xué)品集中供液系統(tǒng)（CDS） u 藥液溢流設(shè)計(jì),，減少藥液用量,，降低使用成本 u 可選配多組合的清洗工藝，對(duì)顆粒管控能力,，≥0.1μm顆粒少 于15顆 u 槽體過溫保護(hù),，各單元配置漏液傳感器，自動(dòng)換酸,，自動(dòng)補(bǔ)液,、 配液 u 防止藥液泄露，藥液槽采用雙槽體設(shè)計(jì),，加熱控制,，濃度控制， 流量控制,，壓力控制,，支持化學(xué)液回收 u 獨(dú)立控制廢液排氣，有效保護(hù)人員作業(yè),。

應(yīng)用領(lǐng)域 半導(dǎo)體集成電路,、晶圓、硅片,、先進(jìn)封裝,、 MEMS、新能源,、光伏,、MiniLED等。