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邊緣濕法刻蝕設(shè)備品牌
盛美半導(dǎo)體產(chǎn)地
美國樣本
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用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,提高先進(jìn)工藝的晶圓邊緣良率
高刻蝕精度,,刻蝕寬度大小可調(diào)
自主**技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn),,控制精度高、均勻性高,,可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕
高產(chǎn)能,,低化學(xué)品消耗
設(shè)備和工藝可擴(kuò)展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)
對下層材料刻蝕具有高選擇比,對晶圓無損傷的特點(diǎn)
出色的晶圓邊緣清洗能力,,更好的顆??刂?/p>
可靈活應(yīng)用于多種襯底材料,包括重?fù)诫s片,、Bonding 片,、超薄片等
適用于12寸晶圓邊緣清洗
*多可配置4個(gè)Lord Port
可配置12個(gè)工藝腔體
真空夾盤對晶圓進(jìn)行夾持
可對晶圓正背面邊緣進(jìn)行清洗,*多可配備5種藥液進(jìn)行清洗工藝
每個(gè)腔體均配置高精度的晶圓對中單元
可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元
暫無數(shù)據(jù),!