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邊緣濕法刻蝕設(shè)備
邊緣濕法刻蝕設(shè)備

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型號

邊緣濕法刻蝕設(shè)備

品牌

盛美半導(dǎo)體

產(chǎn)地

美國

樣本

暫無
盛美半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司

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第2年

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主要優(yōu)勢

用于晶圓邊緣多種不同疊加薄膜層的刻蝕清洗,,提高先進(jìn)工藝的晶圓邊緣良率

高刻蝕精度,,刻蝕寬度大小可調(diào)

自主**技術(shù)可做到更精準(zhǔn)高效的晶圓對準(zhǔn),控制精度高,、均勻性高,,可實現(xiàn)精準(zhǔn)邊緣刻蝕

高產(chǎn)能,低化學(xué)品消耗

設(shè)備和工藝可擴展至10nm以下工藝技術(shù)節(jié)點

對下層材料刻蝕具有高選擇比,,對晶圓無損傷的特點

出色的晶圓邊緣清洗能力,,更好的顆粒控制

可靈活應(yīng)用于多種襯底材料,,包括重?fù)诫s片,、Bonding 片、超薄片等


特性和規(guī)格

適用于12寸晶圓邊緣清洗

*多可配置4個Lord Port

可配置12個工藝腔體

真空夾盤對晶圓進(jìn)行夾持

可對晶圓正背面邊緣進(jìn)行清洗,,*多可配備5種藥液進(jìn)行清洗工藝

每個腔體均配置高精度的晶圓對中單元

可配置高精度的晶圓邊緣檢測單元


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