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TriPHEMOS 實(shí)時(shí)分析微光顯微鏡
為了滿(mǎn)足CPU越來(lái)越快的速度和移動(dòng)設(shè)備中低功耗的需求，先進(jìn)的IC已經(jīng)具有降低電壓、轉(zhuǎn)化為倒裝芯片、多布線(xiàn)層以及進(jìn)一步減小尺寸等特點(diǎn)。由此也導(dǎo)致使用傳統(tǒng)技術(shù)難以分析芯片內(nèi)部工作的時(shí)序,。
TriPHEMOS工具使用二維紅外探測(cè)器,，可以皮秒級(jí)精度分析器件時(shí)序,。
特性
全新的探測(cè)器,，其靈敏度范圍可達(dá)1600nm
全新的探測(cè)器靈敏度范圍為950nm到1600nm，而傳統(tǒng)探測(cè)器的范圍只能到1400nm,。擴(kuò)展出來(lái)的光譜靈敏度增加了背面分析和低電壓驅(qū)動(dòng)IC的探測(cè)效率。
全新的TDC（Time to Digital Converter）,，減少了分析時(shí)間
全新設(shè)計(jì)的TDC可以以12.5ps的時(shí)間分辨率測(cè)量10ms內(nèi)發(fā)生的光發(fā)射,。專(zhuān)用分析軟件可以在全測(cè)量范圍的任何時(shí)間窗內(nèi)獲取結(jié)果,，因此可探究出每個(gè)事件的更多細(xì)節(jié)。
TDC可提供更高的重復(fù)頻率
專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的TDC**可提供10MHz的重復(fù)頻率,。TDC的重復(fù)頻率范圍為100Hz到10MHz,，因此使用者在測(cè)試工程中可更加靈活（循環(huán)長(zhǎng)度）。
二維探測(cè)器同時(shí)測(cè)量
近紅外二維探測(cè)器同時(shí)測(cè)量視場(chǎng)內(nèi)所有晶體管的光發(fā)射波形,，因此可快速識(shí)別目標(biāo)晶體管,。
低噪聲測(cè)量
TriPHEMOS的近紅外二維探測(cè)器的ems噪聲比傳統(tǒng)固態(tài)探測(cè)器的要低1/1000（室內(nèi)），因此可以捕獲非常微弱的光現(xiàn)象,。
多功能平臺(tái)
TriPHEMOS 配備了適用于背面操作的多功能平臺(tái),。該平臺(tái)允許使用者增加額外的探測(cè)器，可與激光應(yīng)用配合工作,。通過(guò)降低樣品設(shè)置的復(fù)雜度進(jìn)而流程長(zhǎng)度,，平臺(tái)將設(shè)置樣品的效率**化。
分析功能
可在測(cè)量中實(shí)時(shí)成像,。
ROI(感興趣區(qū)域)窗口可對(duì)特定的晶體管進(jìn)行分析,。
邏輯仿真器下載輸出。
選配
CAD導(dǎo)航軟件
選配的CAD導(dǎo)航接口軟件可使用戶(hù)在CAD數(shù)據(jù)上覆蓋發(fā)光,，以進(jìn)一步分析,。
EO探針單元C12323-01
EO探針單元是一款工具，通過(guò)使用非連續(xù)光源,，透過(guò)硅基底來(lái)觀察晶體管狀態(tài),。它由EOP（Electro Optical Probing）來(lái)快速測(cè)量晶體管工作電壓，由EOFM（Electro Optical Frequency Mapping）以特定頻率對(duì)活躍晶體管成像,。
應(yīng)用
時(shí)序驗(yàn)證
IC開(kāi)發(fā)中的設(shè)計(jì)驗(yàn)證
DFM參數(shù)收集
器件失效分析
LSI器件光發(fā)射的動(dòng)態(tài)測(cè)量
LSI器件內(nèi)部的CMOS晶體管在源極和漏極施加電壓時(shí)由于電流流動(dòng)而發(fā)光,，該發(fā)光現(xiàn)象可分為瞬變態(tài)和靜止態(tài)。
測(cè)量瞬變光發(fā)射（瞬變態(tài)）
當(dāng)邏輯狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí),，LSI器件內(nèi)部的晶體管開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換,，晶體管瞬間的電流反射出脈沖光。對(duì)該脈沖光的波形進(jìn)行時(shí)域測(cè)量,，可以皮秒級(jí)精確度對(duì)時(shí)間進(jìn)行測(cè)量,。
測(cè)量靜止光發(fā)射（靜止態(tài)）
無(wú)論晶體管是維持在開(kāi)還是關(guān)狀態(tài)，對(duì)其施加電壓會(huì)產(chǎn)生電流并且發(fā)光,。該現(xiàn)象因?qū)SI施加的電壓以及門(mén)電壓的不同而不同,。當(dāng)晶體光處于關(guān)狀態(tài)時(shí)，決定晶體光特性和缺陷數(shù)目的亞閾值電壓還影響電流流動(dòng)中的漏電流量,。分析靜止態(tài)的光發(fā)射可以定位缺陷點(diǎn),，追蹤晶體管特性浮動(dòng)、LSI供電不規(guī)則性等等參量,。
測(cè)量示例
參數(shù)
| 產(chǎn)品名稱(chēng) | TriPHEMOS |
|---|---|
| 靈敏度范圍 | 950 nm to 1600 nm |
| 有效視場(chǎng) | 7.8 mm×7.8 mm |
| 結(jié)構(gòu) | 倒置型 |
| 觸發(fā)間隔（測(cè)量范圍） | 100 ns/10 MHz to 10.5 ms/100 Hz |
| *小時(shí)間分辨率 | 12.5 ps |
| 軟件 | 測(cè)量控制,，分析， CAD 導(dǎo)航,， VCD |
| 尺寸/重量*1 | 主單元：1580 mm (W)×1270 mm (D)×1500 mm (H),， Approx. 1500 kg 控制臺(tái)1：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H)， Approx. 255 kg 控制臺(tái)2：880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H),， Approx. 255 kg 選配桌：1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H),， Approx. 45 kg |
| 線(xiàn)電壓 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
| 功耗 | 約 4400W |
| 壓縮空氣 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
*1：重量因選配不同而變化。
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
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