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ES01快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀
ES01快速攝譜式自動變角度光譜橢偏儀

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北京賽凡光電儀器有限公司

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ES01是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的高精度全自動光譜橢偏儀,,系列儀器的波長范圍覆蓋紫外,、可見到紅外。

ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(shù)(如,,厚度)和物理參數(shù)(如,,折射率n、消光系數(shù)k),,也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k,。

ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。

特點:

  • 原子層量級的檢測靈敏度

    國際先進的采樣方法,、高穩(wěn)定的核心器件,、高質量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級的納米薄膜,膜厚精度達到0.05nm,。
  • 秒級的快速測量

    快速橢偏采樣方法,、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件,,在保證高精度和準確度的同時,,10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。
  • 一鍵式儀器操作

    對于常規(guī)操作,,只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復雜的測量,、建模、擬合和分析過程,,豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高級操作需求,。

應用:

ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。

ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應用場合,。比如:

  • ES01V適合于測量電介質材料,、無定形半導體、聚合物等的實時和非實時檢測,。
  • ES01U適合于很大范圍的材料種類,,包括對介質材料、聚合物,、半導體,、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體的臨界點,,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右),。

ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度,、折射率n及消光系數(shù)k。應用領域包括:微電子,、半導體,、集成電路,、顯示技術、太陽電池,、光學薄膜,、生命科學、化學,、電化學,、磁介質存儲、平板顯示,、聚合物及金屬表面處理等,。典型應用如:

  • 半導體:如:介電薄膜、金屬薄膜,、高分子,、光刻膠、硅,、PZT膜,,激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等),;
  • 平板顯示:TFT,、OLED、等離子顯示板,、柔性顯示板等,;
  • 功能性涂料:增透型、自清潔型,、電致變色型,、鏡面性光學涂層,以及高分子,、油類,、Al2O3表面鍍層和處理等;
  • 生物和化學工程:有機薄膜,、LB膜,、SAM膜、蛋白子分子層,、薄膜吸附,、表面改性處理、液體等,。

ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k,。應用領域包括:固體(金屬、半導體,、介質等),,或液體(純凈物或混合物),。典型應用包括:

  • 玻璃新品研發(fā)和質量控制等。

技術指標:

項目
技術指標
光譜范圍
ES01V:370-1000nm
ES01U:245-1000nm
光譜分辨率
1.5nm
單次測量時間
典型10s,,取決于測量模式
準確度
δ(Psi): 0.02 ° ,,δ(Delta): 0.04°
(透射模式測空氣時)
膜厚測量重復性1)
0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率精度1)
1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
入射角度
40°-90°自動調(diào)節(jié),重復性0.02°
光學結構
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度)
樣品臺尺寸
可放置樣品尺寸:直徑170 mm
樣品方位調(diào)整
高度調(diào)節(jié)范圍:0-10mm
二維俯仰調(diào)節(jié):±
樣品對準
光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
軟件
•多語言界面切換
•預設項目供快捷操作使用
•安全的權限管理模式(管理員,、操作員)
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫
選配件
自動掃描樣品臺
聚焦透鏡

注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點,、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。

可選配件:

  • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
  • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
  • VP01真空吸附泵
  • VP02真空吸附泵
  • 樣品池
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