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Plasma-Therm工藝設(shè)備PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE
Plasma-Therm工藝設(shè)備PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE

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Plasma-Therm是致力于PECVD/HDPCVD/RIE/ICP/DSE的世界知名設(shè)備提供商, 產(chǎn)品涵蓋2”~ 12”主流干法刻蝕/PECVD工藝,,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,、MEMS、三五族(GaAs / SiC / CPV),、LED,、SOI及半導(dǎo)體后段TSV領(lǐng)域

儀器簡介:

  • 2”~12” 手動 / 半自動 / 全自動(片盒對片盒)
  • 領(lǐng)域 : 半導(dǎo)體前后段 / MEMS / 三五族(GaAs / SiC / CPV) / LED / SOI / TSV
  • 制程 : PECVD / HDPCVD / RIE / ICP / DSE

特點(diǎn):

  • Plasma-Therm公司有將近40年研發(fā)及制造干法刻蝕/PECVD設(shè)備的歷史
  • Plasma-Therm設(shè)備具有高穩(wěn)定性與高可靠度
  • Plasma-Therm自有的軟硬件設(shè)計及完善QC系統(tǒng)
  • Plasma-Therm設(shè)備配置靈活,包含手動,、半自動,、全自動(片盒對片盒)型號滿足實(shí)驗室研發(fā)及量產(chǎn)客戶需求
  • Plasma-Therm設(shè)備在行業(yè)內(nèi)高占有率:目前世界范圍內(nèi)裝機(jī)數(shù)量超過1600臺
  • Plasma-Therm PECVD設(shè)備:具有**的uniformity(3%)和溫度控制技術(shù)
  • Plasma-Therm RIE / ICP設(shè)備:具有高刻蝕速率,低損傷,, **的溫度均勻性控制(獨(dú)有的整個反應(yīng)腔陶瓷加熱技術(shù)),,方便的腔體清潔技術(shù)以及精準(zhǔn)靈敏的刻蝕斷點(diǎn)監(jiān)測技術(shù)
  • Plasma-Therm DES設(shè)備:應(yīng)用于MEMS及TSV領(lǐng)域,主要用于高深寬比刻蝕,, morphing技術(shù)確保側(cè)壁的profile的精確控制,,快速氣體切換技術(shù)(**)確保刻蝕的側(cè)壁平滑,,獨(dú)有的壓力控制技術(shù)(**),,高靈敏的刻蝕斷點(diǎn)監(jiān)測技術(shù)
  • Plasma-Therm連續(xù)15年被VLSI評為10 Best設(shè)備供應(yīng)商
應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 半導(dǎo)體:
  • 三五族(GaAs / SiC / CPV)
  • MEMS / SOI
  • LED
  • 半導(dǎo)體后段及TSV
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