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特色
高性能電子光學系統(tǒng)
二次電子分辨率: 頂位二次電子探測器(2.0 nm at 1kV)＊
高靈敏度: 高效PD-BSD， 超強的低加速電壓性能,，低至100 V成像
大束流(>200 nA): 便于高效微區(qū)分析
性能優(yōu)異
壓力可變: 具有優(yōu)異的低真空(10 -300 Pa)成像性能,，配備高靈敏度低真空探測器(UVD)＊
開倉室快速簡單換樣(**樣品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)
微區(qū)分析: EDS， WDS,， EBSD等等
*：
選配附件
規(guī)格
| 項目 | 內(nèi)容 | |
|---|---|---|
| 分辨率 | 1.2 nm @ 30 kV 3.0 nm @ 1 kV 2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1 3.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2 | |
| 放大倍率 | 10 - 600,，000× (底片倍率)， 18 - 1，000,，000× (800 × 600 像素) 30 - 1,，500，000× (1,，280 × 960 像素) | |
| 電子光學系統(tǒng) | 電子槍 | ZrO /W 肖特基式電子槍 |
| 加速電壓 | 0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進) | |
| 著陸電壓 | 減速模式: 0.1 - 2.0 kV＊1 | |
| **束流 | > 200 nA | |
| 探測器 | 低位二次電子探測器 | |
| 低真空模式*2 | 真空范圍: 10 - 300 Pa | |
| 馬達臺 | 馬達臺控制 | 5 - 軸自動 (優(yōu)中心) |
| 可動范圍 | X：0～100mm Y：0～50mm Z：3～65mm T：-20～90° R：360° | |
| **樣品尺寸 | **直徑: 200 mm **高度: 80 mm | |
| 選配探測器 |
| |
*1：
減速功能（包含高分辨率頂位二次電子探測器）
*2：
低真空功能（包含5分割半導體探測器）
*3：
空壓機(本地采購)
應用案例
樣品: 氧化鋅粉末
著陸電壓: 1 kV ; 倍率: 120,，000x
低電壓下頂位二次電子探測器成像
樣品: PTFE
加速電壓: 3 kV ; 倍率: 13，000x
UVD探測器可在低加速電壓(3 kV)和低真空
(40 Pa) 下獲得高質(zhì)量圖像
暫無數(shù)據(jù),！
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