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紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope
紅外顯微鏡裝有長工作距離的物鏡，三步變焦可以很容易選擇視野,。
紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X,。在物鏡5倍的條件下，分辨率可以優(yōu)于3 μm,。另配有頂部光源,，既可以作為傳統(tǒng)模式使用,，又能進行晶圓上面檢查。XY移動臺可以ZUI大可以檢測8英寸以內的晶圓,，移動臺用一個操縱桿進行全自動控制,。實驗室環(huán)境下，可以替換為精密的手動調節(jié)臺,。
由于紅外光可以透過硅,，所以紅外顯微鏡被廣泛應用于硅片上圖形的檢測。
idonus紅外顯微鏡裝有長工作距離的物鏡,，三步變焦可以很容易選擇視野,。紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X。在物鏡5倍的條件下,，分辨率可以優(yōu)于3 μm,。另配有頂部光源,，既可以作為傳統(tǒng)模式使用,，又能進行晶圓上面檢查。XY移動臺可以ZUI大檢測8英寸以內的晶圓,，移動臺用一個操縱桿進行全自動控制,。實驗室環(huán)境下，可以替換為精密的手動調節(jié)臺,。
應用：
以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的,。
在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結構的俯視圖。
紅外圖像相同的地區(qū)經(jīng)過60分鐘的高頻氣相腐蝕,。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見,，這使得可以確定釋放和非釋放部分
idonus紅外顯微鏡的特點：
1、背面紅外光源
2,、頂部光源
3,、XY移動臺ZUI大可檢測晶圓尺寸8英寸
4、長工作距離物鏡
5,、三步變焦
6,、紅外傳感器鏡頭
7、通過計算機查看
idonus紅外顯微鏡的應用：
1,、釋放后的MEMS器件的檢查
2,、填埋材料的蝕刻速率測試（如SOI晶圓）
3、融熔接合的檢查
4,、硅晶圓/碎片的背面校準
5,、質量控制
idonus紅外顯微鏡的優(yōu)點：
1、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案
2,、頂部和背部光源
3,、高分辨率（5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm）
4,、更小的印跡
5、操作簡單,，快速顯示結果
產(chǎn)品型號：IRM 200-auto可放置晶圓尺寸：200mm（8英寸）以內
XY臺移動距離：200 X 200 mm
XY臺移動方式：通過操縱桿全自動控制
產(chǎn)品型號：IRM 100-man可放置晶圓尺寸：100mm（4英寸）以內
XY臺移動距離：100 X 100 mm
XY臺移動方式：手動
其他參數(shù)：
光學分辨率：5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm
工作距離：32mm
放大倍數(shù)：2.5X ,， 5X ， 10X （5倍物鏡下）
變焦：三步變焦0.5X ,， 1X ,， 2X
攝像頭：黑白，USB接口輸出,，分辨率140萬像素
紅外光源波長：1 μm
可選配件：2.5X,，10X，20X物鏡,；10mm,，150mm晶圓適配環(huán)；圖像識別軟件
暫無數(shù)據(jù),！
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