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紅外光晶圓檢查顯微鏡 IR Light Wafer Inspection Microscope
紅外顯微鏡裝有長工作距離的物鏡，三步變焦可以很容易選擇視野,。
紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X,。在物鏡5倍的條件下，分辨率可以優(yōu)于3 μm,。另配有頂部光源,，既可以作為傳統(tǒng)模式使用，又能進(jìn)行晶圓上面檢查,。XY移動臺可以ZUI大可以檢測8英寸以內(nèi)的晶圓,，移動臺用一個操縱桿進(jìn)行全自動控制。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下,，可以替換為精密的手動調(diào)節(jié)臺,。
由于紅外光可以透過硅，所以紅外顯微鏡被廣泛應(yīng)用于硅片上圖形的檢測,。
idonus紅外顯微鏡裝有長工作距離的物鏡,，三步變焦可以很容易選擇視野。紅外傳感器鏡頭通過USB將圖像傳輸?shù)诫娔X,。在物鏡5倍的條件下,，分辨率可以優(yōu)于3 μm。另配有頂部光源,，既可以作為傳統(tǒng)模式使用,，又能進(jìn)行晶圓上面檢查。XY移動臺可以ZUI大檢測8英寸以內(nèi)的晶圓,，移動臺用一個操縱桿進(jìn)行全自動控制,。實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，可以替換為精密的手動調(diào)節(jié)臺,。
應(yīng)用：
以下兩張圖片是用紅外光顯微鏡拍攝的,。
在絕緣體上硅(SOI)晶圓片上制作的部分微結(jié)構(gòu)的俯視圖,。
紅外圖像相同的地區(qū)經(jīng)過60分鐘的高頻氣相腐蝕。掩埋的二氧化硅的蝕刻變得可見,，這使得可以確定釋放和非釋放部分
idonus紅外顯微鏡的特點(diǎn)：
1,、背面紅外光源
2、頂部光源
3,、XY移動臺ZUI大可檢測晶圓尺寸8英寸
4,、長工作距離物鏡
5、三步變焦
6,、紅外傳感器鏡頭
7,、通過計(jì)算機(jī)查看
idonus紅外顯微鏡的應(yīng)用：
1、釋放后的MEMS器件的檢查
2,、填埋材料的蝕刻速率測試（如SOI晶圓）
3,、融熔接合的檢查
4、硅晶圓/碎片的背面校準(zhǔn)
5,、質(zhì)量控制
idonus紅外顯微鏡的優(yōu)點(diǎn)：
1,、在較高的填充因子下的可靠的加工更小的MEMS圖案
2、頂部和背部光源
3,、高分辨率（5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm）
4,、更小的印跡
5,、操作簡單,，快速顯示結(jié)果
產(chǎn)品型號：IRM 200-auto可放置晶圓尺寸：200mm（8英寸）以內(nèi)
XY臺移動距離：200 X 200 mm
XY臺移動方式：通過操縱桿全自動控制
產(chǎn)品型號：IRM 100-man可放置晶圓尺寸：100mm（4英寸）以內(nèi)
XY臺移動距離：100 X 100 mm
XY臺移動方式：手動
其他參數(shù)：
光學(xué)分辨率：5倍物鏡下分辨率優(yōu)于3 μm
工作距離：32mm
放大倍數(shù)：2.5X ， 5X ,， 10X （5倍物鏡下）
變焦：三步變焦0.5X ,， 1X ， 2X
攝像頭：黑白,，USB接口輸出,，分辨率140萬像素
紅外光源波長：1 μm
可選配件：2.5X，10X,，20X物鏡,；10mm，150mm晶圓適配環(huán),；圖像識別軟件
暫無數(shù)據(jù),！
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