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特點(diǎn)
Omega/Theta X射線衍射儀是一個(gè)全自動(dòng)的垂直三軸衍射儀,,使用Omega掃描和Theta掃描方法以及搖擺曲線測(cè)定各種晶體的方位。大而寬敞的設(shè)計(jì)可以容納長(zhǎng)達(dá)450毫米和30公斤的重量和樣品架,。
所有的測(cè)量都是自動(dòng)化的,,可以通過(guò)用戶友好的軟件界面進(jìn)行訪問(wèn)。利用Omega掃描,,可以在晶體旋轉(zhuǎn)(5秒)中確定完整的晶格方向,。Theta掃描更加靈活,但每次掃描只產(chǎn)生一個(gè)方向分量,。
可以非常精確地確定傾斜角度,,使用Theta掃描到0.001°。對(duì)于所有其他的晶體方向,,精度取決于垂直于表面的角差,。
該系統(tǒng)是模塊化的,并配備了許多不同的擴(kuò)展用于特殊目的,,如形狀或平面的確定,,繪圖和不同的樣品架。樣品的傾斜度是通過(guò)光學(xué)測(cè)量來(lái)檢測(cè)的,,可以用來(lái)校正*終的方向,。
單晶衍射儀
Omega掃描圖(SiC) 渦輪葉片,一個(gè)方向組件的映射圖
(Si,, Ge)晶圓,,定向圖 晶格參數(shù)映射圖
全自動(dòng)單晶完全晶格取向測(cè)量
使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測(cè)量
自動(dòng)搖擺曲線測(cè)量
衍射儀的角分辨率:0.1弧秒。
樣本大小可達(dá)450毫米
適合于生產(chǎn)質(zhì)量控制和研究
用戶友好和成本效益
樣品處理方便,,操作方便
先進(jìn)的,,用戶友好的軟件
低能耗,低運(yùn)營(yíng)成本
模塊化設(shè)計(jì)和靈活性
各種升級(jí)選項(xiàng)
定制用戶的需求
Omega/Theta X射線衍射儀的應(yīng)用
具有多種幾何形狀和大小的樣品
單晶的工業(yè)合成從大而重的晶體開始,,到小塊如晶圓或坯,。實(shí)驗(yàn)生長(zhǎng)產(chǎn)生微小的圓柱體。
根據(jù)材料和產(chǎn)量的不同,晶體樣品可以表現(xiàn)出多種尺寸和幾何形狀,。
Omega/Theta X射線衍射儀可以處理大塊鋼錠或鋼球和實(shí)驗(yàn)合成的微小晶體,。
非線性光學(xué)材料(NLO):晶體質(zhì)量和定向
與典型的無(wú)機(jī)金屬、半導(dǎo)體和絕緣體相比,,NLO材料具有更復(fù)雜的晶體結(jié)構(gòu)和更低的對(duì)稱性。這種結(jié)構(gòu)創(chuàng)造了一個(gè)高度各向異性的環(huán)境,,
光通過(guò)晶體,,并導(dǎo)致他們的特殊性質(zhì)。這些晶體通常被切割成尺寸在毫米范圍內(nèi)的小棒,,作為頻率倍增器和光學(xué)參量振蕩器的有源元件,。
對(duì)這種小晶體的表面質(zhì)量測(cè)定常常可以揭示晶體內(nèi)部的結(jié)構(gòu)缺陷和裂紋,。
這些材料的大單位晶胞是Omega掃描方法的一個(gè)挑戰(zhàn),。我們能夠確定許多NLO材料,如LBO,, BBO和TeO2的Omega掃描參數(shù)的*重要的方向,。
對(duì)Omega/Theta的設(shè)計(jì)進(jìn)行了一些特殊的修改,以涵蓋幾種不同材料的NLO能力,。
平面方向的標(biāo)記和測(cè)量
Omega掃描能夠在一次測(cè)量中確定完整的晶體方位。因此,,平面方向可以直接識(shí)別,。這是一個(gè)有用的功能,,以標(biāo)記在平面方向或檢查方向的單位或缺口,。
在晶圓片的注入和光刻過(guò)程中,,平面或凹槽作為定位標(biāo)記,。經(jīng)過(guò)加工后,晶圓片攜帶數(shù)百個(gè)芯片,,需要通過(guò)切割將其分離。
晶片必須正確地對(duì)準(zhǔn)晶圓片上易于切割的晶格面。因此,,檢查平臺(tái)或缺口的位置是必要的,。為了確定平面或缺口的位置,,必須測(cè)量平面內(nèi)的部件,。
該儀器通過(guò)旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)盤,,可以將任何平面方向轉(zhuǎn)換成用戶指定的特定位置。這簡(jiǎn)化了將標(biāo)記應(yīng)用到特定平面方向的任務(wù),,例如必須定義平面方向時(shí),。
對(duì)于高吞吐量應(yīng)用程序,,可提供自動(dòng)測(cè)量解決方案,。
搖擺曲線:晶體表面評(píng)價(jià)
搖擺曲線測(cè)量對(duì)晶格內(nèi)的缺陷和應(yīng)變場(chǎng)很敏感。將這種技術(shù)與映射階段相結(jié)合,可以掃描晶體表面并確定缺陷區(qū)域,。在晶格匹配的薄膜中,,
搖擺曲線也可以用來(lái)研究層厚,、超晶格周期、應(yīng)變和成分剖面,、晶格失配,、三元結(jié)構(gòu)和弛豫。
晶圓片表面必須達(dá)到非常高的清潔和均勻性標(biāo)準(zhǔn),。制造商正努力使晶體的位錯(cuò)和缺陷盡可能少,。特別是在碳化硅方面,消除錯(cuò)位為這種材料提供了新的應(yīng)用領(lǐng)域,。
通過(guò)裝備一個(gè)具有映射階段和雙晶體的Omega/Theta衍射儀,,可以測(cè)量晶體表面某一反射的搖擺曲線映射。圖像顯示的結(jié)果,,這種映射的碳化硅晶圓,。
晶圓片的內(nèi)部呈現(xiàn)出兩到三倍于搖擺曲線的FWHM,。這可能與表面劃痕或生長(zhǎng)缺陷有關(guān)。
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