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PHI Quantes品牌
高德英特產(chǎn)地
北京樣本
暫無誤差率:
*分辨率:
*重現(xiàn)性:
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其他分散方式:
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PHI Quantes 雙掃描XPS探針
簡介
PHI Quantes
雙掃描XPS探針是以Quantera II系統(tǒng)為基礎(chǔ),進(jìn)行技術(shù)升級后得到的全新版本,。PHI
Quantes的主要突出特點(diǎn),,是擁有世界**的同焦Al Ka和Cr Ka的雙掃描X射線源;相比常規(guī)的Al Ka X射線源,,能量高達(dá)5.4
KeV的Cr
Ka作為硬X射線源,,一方面可以探測到表面更深度的信息,另一方面還可得到更寬能量范圍的能譜信息,,使光電子能譜數(shù)據(jù)資訊達(dá)到更內(nèi)部,、更深層和更寛能量的結(jié)果。Quantes是一套技術(shù)成熟的高性能XPS系統(tǒng),,在未來表面科學(xué)研究中將發(fā)揮至關(guān)重要的作用。
優(yōu)勢
樣品表面更深的深度信息
Cr Ka和Al Ka激發(fā)的光電子具有不同的非彈性平均自由程,,因此可以探測到不同的深度信息,,一般的預(yù)期是Cr Ka數(shù)據(jù)中深度訊息會比Al Ka深三倍,使Quantes的分析能力得到重大的提升,。
如上圖可見Cr Ka的非彈性自由層的深度是Al Ka的三倍,。
如上圖左,使用Al Ka測試一SiO2 10nm厚樣式基本只看到表面的氧化硅,;而在右圖所示在使用Cr Ka分析同一樣品可同時(shí)偵測出表面氧化硅和深度10nm后更深金屬硅的訊號,。
探測高結(jié)合能的內(nèi)層電子和更寛的XPS能譜
當(dāng)內(nèi)層電子的結(jié)合能高于1.5 KeV而小于5.4 KeV時(shí),該層電子無法被Al Ka X射線激發(fā)產(chǎn)生光電子,,但是卻能被Cr Ka X射線激發(fā)產(chǎn)生光電子,。因此,使用Cr Ka能夠在激發(fā)更內(nèi)層光電子的同時(shí)得到能量范圍更寬的光電子能譜(如下圖),。
特點(diǎn)
PHI Quantes設(shè)備雙單色光源的示意圖
雙單色化的X射線源,,Cr Ka(4 KeV)和Al Ka(1.5 KeV)
Cr Ka分析深度是Al Ka的三倍
如上圖,PHI Quantes雙光源都可掃描聚焦的同時(shí)定位可保證為完全一致
Cr Ka與Al Ka雙X射線源能夠?qū)崿F(xiàn)同點(diǎn)分析
技術(shù)成熟的雙束電荷中和技術(shù)
Cr Ka 定量靈敏因子
可選配件
樣品定位系統(tǒng)(SPS)
樣品處理室(Preparation chamber)
冷/熱變溫樣品臺
團(tuán)簇離子源 GCIB
應(yīng)用實(shí)例分析
例一:金屬氧化物Fe-Cr合金分析
光電子能譜圖中,,有時(shí)會出現(xiàn)X光激發(fā)產(chǎn)生的光電子與某些俄歇電子能量范圍重合的情況,。例如在探測Fe-Cr合金全譜時(shí),PHI Quantes可以一鍵切換Cr Ka與Al Ka X射線源,,那么光電子與俄歇電子就能夠在全譜中很好的區(qū)分開(如下圖),。
如下圖,盡管在Fe2p和Cr2p的精細(xì)譜中,,Al Ka得到的Fe2p與俄歇電子譜峰稍有重疊,,但是根據(jù)不同的深度信息,我們依然可以發(fā)現(xiàn)Fe和Cr的氧化物只存在于樣品的表面,。詳細(xì)研究Fe和Cr之間的氧化物含量可能導(dǎo)致氧化物厚度或深度的差異,。
例二: 褪色的銅電極分析
如下圖中光學(xué)顯微鏡下,,可以觀察到銅電極產(chǎn)品上顏色發(fā)生了變化,以此定位分析點(diǎn)A/B和a/b,。再使用 PHI Quantes 對樣品這買個(gè)區(qū)域做分析,。
使用PHI Quantes分析此樣品得到上圖的結(jié)果,當(dāng)中 Cr Ka在(A,B)兩個(gè)分析區(qū)域結(jié)果Cu2+和Cu+組成比例有明顯的不同,。但是在使用Al Ka分析(a,b)兩區(qū)域時(shí),,Cu2+和Cu+化學(xué)態(tài)和組成比基本沒有明顯的差別。
這個(gè)結(jié)果表明:在亮暗區(qū)域,,Cu主要以Cu2O形式存在,。但是,用Cr Ka探測到暗處有更多的CuO,,說明CuO更多的存在于Cu2O的下面,。
例三: 多層薄膜分析
如下圖,對一多層薄膜使用PHI Quantes分析,,留意圖中所標(biāo)示在不同X射線源(Al Ka & Cr Ka)和不同樣品測試傾角時(shí),,使用了藍(lán)/綠/紅示意出XPS分析深度的不同。
如以左上圖藍(lán)/綠/紅圖譜結(jié)果中可見,,只有通過PHI Quantes Cr Ka分析才可以直接透過XPS探測到14nm的Y2O3層下面的Cr層Cr2p信息,。而右上圖曲線擬合結(jié)果也可以用來研究Cr的化學(xué)狀態(tài)。通過研究Cr Ka 在90°和30°入射得到的譜圖可知,,Cr氧化物是存在在Y2O3和Cr之間的界面,。
暫無數(shù)據(jù)!