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PHI 710品牌
高德英特產(chǎn)地
北京樣本
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PHI 710 掃描俄歇納米探針
簡介
PHI 710掃描俄歇納米探針是一臺(tái)設(shè)計(jì)獨(dú)特的高性能的俄歇電子能譜（AES）儀器,。該設(shè)備能分析納米級(jí)特征區(qū)域,，超薄薄膜和多層結(jié)構(gòu)材料表界面的元素態(tài)和化學(xué)態(tài)信息。作為高空間分辨率,，高靈敏度和高能量分辨率的俄歇電子能譜儀,， PHI 710可以為用戶提供納米尺度方面的各種分析需求。
PHI 710 掃描俄歇納米探針
特點(diǎn)
SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm
在俄歇能譜的采集分析過程中,，包括譜圖,，深度剖析及元素分布成像，首先需要在SEM圖像上定義樣品分析區(qū)域,，同時(shí)要求束斑直徑小且穩(wěn)定,。PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm，AES的空間分辨率小于8 nm（@ 20 kV, 1 nA）,，如下圖所示,。
圖1 Si基底上的Au的SEM圖像，PHI 710 SEM圖像的空間分辨率小于3 nm
圖2鑄鐵韌性斷裂的界面分析,，左邊是SEM圖像,，中間是鈣，鎂,，鈦的俄歇成像譜圖疊加,，右邊則是硫的俄歇成像，這充分證明了PHI 710在納米級(jí)的尺度下的化學(xué)態(tài)的分析能力。
同軸筒鏡分析器（CMA）
PHI 公司電子槍和同軸筒鏡分析器同軸的幾何設(shè)計(jì),，具有靈敏度高和各個(gè)角度均可收集信號(hào)的特點(diǎn),，滿足了表面粗糙不平整樣品對(duì)俄歇分析全面表征能力的需求。如上圖所示,，所有俄歇的數(shù)據(jù)都是從顆粒的各個(gè)方向收集而來,，成像沒有陰影。若設(shè)備配備的不是同軸分析器,，則儀器的靈敏度會(huì)降低,，并且成像有陰影，一些分析區(qū)域會(huì)由于位置的原因,，而無法分析,。如果想要得到高靈敏度，只能分析正對(duì)著分析器的區(qū)域,。如下圖所示,，若需要對(duì)顆粒的背面，顆粒與顆粒之間的區(qū)域分析,，圖像會(huì)有陰影,。
俄歇能譜儀的化學(xué)態(tài)成像
圖譜成像
PHI 710能從俄歇成像分析的每個(gè)像素點(diǎn)中提取出譜圖的相關(guān)信息，該功能可以實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像,。
高能量分辨率俄歇成分像
下圖是半導(dǎo)體芯片測試分析,，測試的元素是Si。通過對(duì)Si的俄歇影像進(jìn)行線性*小二乘法擬合（LLS）,，俄歇譜圖很清楚的反映出了三個(gè)Si的不同化學(xué)態(tài)的區(qū)域,，分別是：單質(zhì)硅，氮氧化硅和金屬硅,，并且可以從中分別提取出對(duì)應(yīng)的Si的俄歇譜圖,，如*下方三張圖所示。
納米級(jí)的薄膜分析
如下圖SEM圖像中所示,，以硅為襯底的鎳的薄膜上有缺陷,，這是由于退火后，在界面處形成了硅鎳化合物,。分別在缺陷區(qū)域和正常區(qū)域設(shè)置了一個(gè)分析點(diǎn),，分析條件為高能量分辨率模式下（0.1%），電子束直徑20 nm,，離子槍采用0.5 kV設(shè)定,，如下圖所示，在MultiPak軟件中,，采取*小二乘擬合法用于區(qū)分金屬鎳和硅鎳化合物,，同樣區(qū)分金屬硅和硅化物,。可以看出,，硅鎳化合物僅存在于界面處,，而在鎳薄膜層和硅襯底中都不存在。但是,，在鎳涂層的缺陷處,，發(fā)現(xiàn)了硅鎳化合物,。
PHI SmartSoft-AES用戶界面
PHI SmartSoft是一個(gè)方便使用的儀器操作軟件,。軟件通過任務(wù)導(dǎo)向和卷標(biāo)橫跨頂部的顯示指導(dǎo)用戶輸入樣品，定義分析點(diǎn),，并設(shè)定分析,。一個(gè)強(qiáng)大的“自動(dòng)Z軸定位”功能可定義多個(gè)分析點(diǎn)并達(dá)到*理想的樣品分析定位。簡潔明了的界面設(shè)計(jì)以及軟件功能設(shè)置能夠讓操作者快速上手,，方便設(shè)置,，保存和調(diào)取分析參數(shù)。
PHI MultiPak 數(shù)據(jù)處理軟件
MultiPak軟件擁有*全面的俄歇能譜數(shù)據(jù)庫,。采譜分析,，線掃描分析，成像和深度剖析的數(shù)據(jù)都能用MultiPak來處理,。它強(qiáng)大的功能包括峰的定位,，化學(xué)態(tài)信息及檢測限的提取，定量測試和圖像的增強(qiáng)等,。
選配件
真空室內(nèi)原位樣品放置臺(tái)
原位斷裂
真空傳送管
預(yù)抽室導(dǎo)航相機(jī)
電子能量色散探測器（EDS）
電子背散射衍射探測器（EBSD）
背散射電子探測器（BSE）
聚焦離子束（FIB）
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體組件: 缺陷分析,、刻蝕／清潔殘余物分析、短路問題分析,、接觸污染物分析,、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析、封裝問題分析等,、FIB組件分析
顯示器組件: 缺陷分析,、刻蝕／清潔殘余物分析、短路問題分析,、接觸污染物分析,、接口擴(kuò)散現(xiàn)象分析等
磁性儲(chǔ)存組件: 定義層、表面元素,、接口擴(kuò)散分析,、孔洞缺陷分析、表面污染物分析,、磁頭缺陷分析,、殘余物分析等
玻璃及陶瓷材料: 表面沉積物分析、清潔污染物分析、晶界分析等
暫無數(shù)據(jù),！
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