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氮化鋁:導(dǎo)熱領(lǐng)域的“顯眼包”
中國粉體網(wǎng)訊 AlN有很高的熱導(dǎo)率,,理論值達(dá)到320W/(m·K),是Al2O3的7-10倍,,憑借如此高的“散熱基因”,,氮化鋁自然成為了高效散熱需求領(lǐng)域的重點(diǎn)關(guān)注對象。 目前來講,,氮化鋁在高導(dǎo)熱領(lǐng)域的應(yīng)用主要集中在兩個(gè)方面:封裝基板和導(dǎo)熱填料,。 封裝基板AlN:理想的電子封裝基片材料 封裝基板主要利用材料本身具有的高熱導(dǎo)率,將熱量從芯片(熱源)導(dǎo)出,,實(shí)現(xiàn)與外界環(huán)境的熱交換。對于功率半導(dǎo)體器件而言,,封裝基板必須滿足以下要求:(1)高熱導(dǎo)率,;(2)與芯片材料熱膨脹系數(shù)匹配;(3)耐熱性好..【詳細(xì)】
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