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半導體設備的“核心力量”——碳化硅零部件
中國粉體網訊 碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)異的結構陶瓷材料,。碳化硅零部件,,即以碳化硅及其復合材料為主要材料的設備零部件,其具備密度高,、熱傳導率高,、彎曲強度大、彈性模數(shù)大等特性,,能夠適應晶圓外延,、刻蝕等制造環(huán)節(jié)的強腐蝕性、超高溫的惡劣反應環(huán)境,,因此廣泛應用于外延生長設備,、刻蝕設備、氧化/擴散/退火設備等主要半導體設備,。根據(jù)晶體結構,,碳化硅晶型很多,目前常見的SiC主要是3C,、4H以及6H型,,不同晶型的SiC用途不同,。其中,3C-SiC也通常被稱為β-SiC,,β-SiC的一個重要用途就是用作薄膜和涂層材料,,因此,目前β-SiC是作石墨基座涂層的主要材料,。根據(jù)制備工藝,,碳化硅零部件可分為化學氣相沉積碳化硅(CVD SiC)、反..【詳細】
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