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半導(dǎo)體設(shè)備的“核心力量”——碳化硅零部件
中國(guó)粉體網(wǎng)訊 碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)異的結(jié)構(gòu)陶瓷材料。碳化硅零部件,,即以碳化硅及其復(fù)合材料為主要材料的設(shè)備零部件,,其具備密度高、熱傳導(dǎo)率高,、彎曲強(qiáng)度大,、彈性模數(shù)大等特性,能夠適應(yīng)晶圓外延,、刻蝕等制造環(huán)節(jié)的強(qiáng)腐蝕性,、超高溫的惡劣反應(yīng)環(huán)境,因此廣泛應(yīng)用于外延生長(zhǎng)設(shè)備,、刻蝕設(shè)備,、氧化/擴(kuò)散/退火設(shè)備等主要半導(dǎo)體設(shè)備。根據(jù)晶體結(jié)構(gòu),,碳化硅晶型很多,,目前常見(jiàn)的SiC主要是3C、4H以及6H型,,不同晶型的SiC用途不同,。其中,3C-SiC也通常被稱為β-SiC,,β-SiC的一個(gè)重要用途就是用作薄膜和涂層材料,,因此,目前β-SiC是作石墨基座涂層的主要材料,。根據(jù)制備工藝,,碳化硅零部件可分為化學(xué)氣相沉積碳化硅(CVD SiC)、反..【詳細(xì)】
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