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NanoLetters最新報(bào)道:澤攸科技力-電樣品桿在納米材料力學(xué)/電學(xué)性能表征中的應(yīng)用

NanoLetters最新報(bào)道:澤攸科技力-電樣品桿在納米材料力學(xué)/電學(xué)性能表征中的應(yīng)用
澤攸科技  2025-04-02  |  閱讀:234

近日,,澳大利亞昆士蘭理工大學(xué)作為第一單位,,在《NanoLetters》上發(fā)表了題為《Mechanical, Electrical, and Crystallographic Property Dynamics of Bent and Strained Ge/Si Core?Shell Nanowires As Revealed by in situ Transmission Electron Microscopy》(DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b03398)的研究成果,。研究者們利用澤攸科技的PicoFemto原位力學(xué)-電學(xué)樣品桿,,在透射電鏡中原位表征了Ge/Si 核-殼結(jié)構(gòu)納米線的力學(xué)、電學(xué)以及結(jié)晶學(xué)性能,。

  研究表明,,在大的彎曲應(yīng)變下,Si殼不規(guī)則地轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑?非晶態(tài),,而Ge核在壓縮一側(cè)繼續(xù)保持單晶狀態(tài),。同時(shí),納米線顯示周期性變化的電子特性,,并具有良好的機(jī)械性能,。結(jié)合原位TEM獲得的電子衍射圖案以及理論模擬計(jì)算,結(jié)果表明納米線形變過(guò)程中出現(xiàn)的多晶/非晶硅和β-Sn Ge的非平衡相可以解釋材料的上述機(jī)械性能和應(yīng)變下電導(dǎo)率的變化,。Ge/Si納米線的原子模擬顯示出在彎曲過(guò)程中其電子結(jié)構(gòu)的顯著變化以及在壓縮區(qū)域出現(xiàn)導(dǎo)電溝道,,這可能也是彎曲納米線中導(dǎo)電性增加的原因。

  澤攸科技的PicoFemto原位力學(xué)-電學(xué)樣品桿在透射電鏡中構(gòu)建了力學(xué)-電學(xué)測(cè)試平臺(tái),,穩(wěn)定操縱樣品并精確施加/測(cè)量定量的力學(xué),、電學(xué)信號(hào),在載荷分辨率(nN級(jí)別)及電流分辨率(nA級(jí)別)上都展現(xiàn)出出色性能,。值得一提的是,,該研究中拍到了高分辨的晶格相,該產(chǎn)品也是目前世面上唯一能拍到高分辨晶格相的原位TEM力學(xué)測(cè)試系統(tǒng),。

 

微信圖片_20250402095836.jpg 

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圖:實(shí)驗(yàn)原理圖

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圖:衍射圖及晶格相

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圖:力學(xué)性能表征

4.jpg 

圖:電學(xué)性能與結(jié)構(gòu)變化對(duì)應(yīng)關(guān)系,。

 

5.jpg 

圖:理論計(jì)算


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