
安徽澤攸科技有限公司

已認(rèn)證
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本期帶來(lái)的是一篇PicoFemto原位樣品桿在新一代半導(dǎo)體器件研發(fā)中的應(yīng)用,,場(chǎng)效應(yīng)晶體管在半導(dǎo)體行業(yè)有著廣泛的應(yīng)用。其中,,由壓電材料(氧化鋅等)作為門控的場(chǎng)效應(yīng)管在近年獲得了廣泛關(guān)注,。本文利用STM-TEM原位樣品桿搭載單根氧化鋅納米線,并在TEM中原位操縱、測(cè)量和觀測(cè),。研究表明,,當(dāng)我們使用STM探針對(duì)氧化鋅納米線施加2.63%的應(yīng)力后,該材料的電導(dǎo)率會(huì)驟降2個(gè)數(shù)量級(jí),。結(jié)合TEM的觀測(cè)結(jié)果我們發(fā)現(xiàn),,這種電導(dǎo)率的變化與接觸點(diǎn)處肖克力勢(shì)壘無(wú)關(guān),而是源自氧化鋅納米線橫向壓電潛能帶來(lái)的載流子損耗,。相關(guān)研究由日本NIMS,、中科院物理所和量子物質(zhì)合作創(chuàng)新中心共同完成,成果發(fā)表在《Nano Energy》上(Nano Energy (2015)13,, 233-239),。
澤攸科技的PicoFemto原位樣品桿在該研究中穩(wěn)定而精確地實(shí)現(xiàn)了搭載樣品、電學(xué)測(cè)量以及施加應(yīng)力的任務(wù),。
氧化鋅納米線一端被固定在金針上,,另一端通過(guò)鎢針對(duì)其施加應(yīng)力。
理論模型對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果的支持
應(yīng)用器件模型
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