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掃描電鏡在什么情況下需要搭配離子研磨儀,？

復(fù)納科技 2020-12-22 | 閱讀：2648

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如果你沒有從掃描電鏡圖片中獲得你想要的信息，在掃描電鏡功能一切正常的前提下,，極有可能是樣品制備不夠成功導(dǎo)致的,。

以下兩個(gè)案例將直觀地說明這個(gè)問題：

1. 錫球焊接分析

未使用 Technoorg Linda 離子研磨儀制樣（飛納臺(tái)式電鏡拍攝）

使用 Technoorg Linda 離子研磨儀制樣（飛納臺(tái)式電鏡拍攝）

說明：如果不使用離子研磨儀，就無(wú)法用掃描電鏡觀察到錫球焊接處的缺陷

2. 陶瓷

未使用 Technoorg Linda 離子研磨儀制樣（飛納臺(tái)式電鏡拍攝）

使用 Technoorg Linda 離子研磨儀制樣（飛納臺(tái)式電鏡拍攝）

說明：如果不使用離子研磨儀,，就無(wú)法用掃描電鏡觀察到陶瓷晶粒和富集相的正確位置

因此,，使用離子研磨儀后，將有助于得到材料表面更豐富更準(zhǔn)確的形貌信息,。對(duì)于一般的內(nèi)部結(jié)構(gòu)觀察,，使用傳統(tǒng)的機(jī)械研磨即可以達(dá)到需要的分析效果，但是對(duì)于某些精度要求較高或是機(jī)械研磨外部應(yīng)力會(huì)產(chǎn)生影響的情況下,，使用高精度,、無(wú)應(yīng)力的、無(wú)接觸式的研磨——離子研磨就很有必要,。電子行業(yè)通常要求精度較高的結(jié)構(gòu)分析,，例如細(xì)微失效缺陷分析；或是對(duì)處理應(yīng)力有較高要求的缺陷分析,，例如樹脂與玻纖布的結(jié)合,，銅箔厚度的仲裁測(cè)量等；這類情況下傳統(tǒng)的機(jī)械研磨就無(wú)法再達(dá)到預(yù)期的觀察效果,。

什么是機(jī)械研磨,？

機(jī)械研磨作為最常用的粗樣制備手段，通常的機(jī)械研磨和拋光會(huì)在表面上形成 1 nm 至 100 nm 厚度的非晶層,，稱為 Beilby 層,。Beilby 層會(huì)掩蓋住大部分的樣品真實(shí)信息，對(duì)掃描電鏡表征產(chǎn)生很大的影響,。特別對(duì)于常見的金剛石拋光技術(shù),，因?yàn)樗鼤?huì)使表面的晶粒變形，從而影響表征結(jié)果（例如金相樣品）,。離子研磨技術(shù)則克服了上述所有困難,，從而提供了高分辨率表征所需的表面光潔度。

什么是離子研磨,？

離子研磨實(shí)現(xiàn)的過程中,，首先通過一個(gè)高壓電極來對(duì)氬氣進(jìn)行電離，從而形成氬離子,；繼而再通過一個(gè)高壓電場(chǎng)來對(duì)氬離子實(shí)施加速,，經(jīng)過帶有偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的離子槍頭，使其形成離子束對(duì)需要研磨的樣品進(jìn)行轟擊,，將樣品表面物質(zhì)以原子的形態(tài)清除出去,，以使得樣品達(dá)到無(wú)應(yīng)力研磨的效果。如圖 1 所示,。在整個(gè)過程中會(huì)調(diào)整一些參數(shù),，例如離子能量,，離子束入射角，以優(yōu)化樣品制備時(shí)間和表面質(zhì)量,。

離子研磨原理

荷蘭飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡能譜一體機(jī)攜手匈牙利 Technoorg Linda 離子研磨儀,，助您輕松高效地研究隱藏在表象下豐富準(zhǔn)確的材料表面形貌成分信息，為用戶帶來最高的性價(jià)比體驗(yàn),。

Technoorg Linda 全自動(dòng)離子研磨儀 SEMPrep2 最多可配備兩支離子槍,。高能量離子槍進(jìn)行快速切削，低能量離子槍用于表面的精細(xì)拋光和清潔,，制備適用于制備高品質(zhì)的無(wú)損傷樣品,。可選配更強(qiáng)大的 16 keV 超高能量離子槍用于超硬材料和更快速切削樣本,?？蛇x配液氮或 Peltier 冷卻臺(tái)，保護(hù)對(duì)熱敏感的樣品,。該設(shè)備具備的氣鎖系統(tǒng),，有利于大通量樣本快速交換，顯著縮短換樣時(shí)間,。完全自動(dòng)化的操作系統(tǒng),，可編程，保存和再現(xiàn)制樣參數(shù),，避免不同操作者的造成的人為差異,。

Phenom Pharos 飛納臺(tái)式場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡能譜一體機(jī)采用肖特基場(chǎng)發(fā)射電子源，集背散射電子成像,、二次電子成像和能譜分析功能于一體,。高亮度肖特基場(chǎng)發(fā)射電子源，使用戶可以輕松獲得高分辨率圖像,。圖形化操作界面,，15 秒抽真空，30秒成像,，放置環(huán)境無(wú)特殊要求,，內(nèi)置磁屏蔽系統(tǒng)，完全防震,。Phenom Pharos 低電壓成像優(yōu)勢(shì)明顯,，可減輕電子束對(duì)樣品的損傷和穿透，最大程度還原樣品真實(shí)形貌,，最高放大倍數(shù) 1,000,000X,，分辨率優(yōu)于 2.2nm。

案例研究一：鋰電池負(fù)極材料內(nèi)部結(jié)構(gòu)

為了研究不同循環(huán)次數(shù)與充電速率下鋰電池負(fù)極石墨顆粒內(nèi)裂紋的形成,，需要對(duì)顆粒截面微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行研究,。鋰電池材質(zhì)較軟,，機(jī)械拋光或切割會(huì)破壞顆粒，因此需要離子研磨進(jìn)行樣品制備以準(zhǔn)確分析材料的微觀結(jié)構(gòu),。