日韩av在线高清免费毛片日韩欧美一级成人|女人18以后毛片|国产18女人毛多水多毛片|乱系列人妻视频|中文字幕久久熟女人妻av|91麻豆人妻|校花被我玩弄|父女乱荡|高潮videossex潮喷另类|日本在线观看人妻,黑人侵犯日本人妻,色哟哟视频线在线播放欧美,亚洲欧美国产国产一区第二页

手機(jī)版

掃一掃,手機(jī)訪問(wèn)

關(guān)于我們 加入收藏

復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司

5 年金牌會(huì)員

已認(rèn)證

撥打電話
獲取底價(jià)
提交后,,商家將派代表為您專人服務(wù)
立即發(fā)送
點(diǎn)擊提交代表您同意 《用戶服務(wù)協(xié)議》
當(dāng)前位置:
復(fù)納科技 >技術(shù)文章 >

AFM-SEM聯(lián)用技術(shù):半導(dǎo)體失效分析新突破(文末網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)預(yù)告)

AFM-SEM聯(lián)用技術(shù):半導(dǎo)體失效分析新突破(文末網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)預(yù)告)
復(fù)納科技  2025-05-22  |  閱讀:231

半導(dǎo)體是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),,支撐著從計(jì)算到數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的一切功能。隨著器件尺寸縮小且結(jié)構(gòu)日益復(fù)雜,,精準(zhǔn)的失效分析變得至關(guān)重要。

AFM-in-SEM 失效分析:該技術(shù)直接集成于 FIB / SEM(聚焦離子束 / 掃描電鏡)環(huán)境,,能夠在納米尺度下對(duì)半導(dǎo)體元件進(jìn)行原位,、特定位置的電學(xué)與形貌表征。它提供精確的電導(dǎo)率映射和摻雜分布分析,,同時(shí)保持樣品完整性,。

?  核心優(yōu)勢(shì)

  • 特定位置的失效分析: 利用 SEM 精確定位,結(jié)合高分辨率電導(dǎo)率與摻雜分布映射,。.

  • 無(wú)縫真空工作流: 與現(xiàn)有失效分析工具完全兼容,,避免表面氧化和污染。.

  • 探針保護(hù)與優(yōu)化接觸: 探針塢(Docking Station)在FIB銑削時(shí)保護(hù) AFM 探針,; 樣品旋轉(zhuǎn)功能優(yōu)化接觸角度,,適應(yīng)復(fù)雜幾何結(jié)構(gòu)。

  • 省時(shí)與成本效益: 集成化方案減少單樣品測(cè)量時(shí)間,,加速研發(fā)進(jìn)程,。

 

01AFM-in-FIB / SEM 的失效分析流程

 

  1. 樣品制備:使用 FIB 暴露缺陷區(qū)域,。

  2. AFM 導(dǎo)航分析:在 SEM 引導(dǎo)下,AFM 探針定位目標(biāo)區(qū)域進(jìn)行高分辨率電學(xué)表征(如 C-AFM 或 SSRM),。

  3. 數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián):將結(jié)果與 SEM 技術(shù)關(guān)聯(lián)(必要時(shí)校準(zhǔn)),,全面理解失效機(jī)制。

 

 

逐層剝離(Delayering): 通過(guò) PFIB 逐層剝離材料,,每層進(jìn)行局部電導(dǎo)率分析,,從而精確獲取不同深度的單層結(jié)構(gòu)信息。

校準(zhǔn): 對(duì)已知摻雜濃度的參考樣品進(jìn)行電阻測(cè)量,,測(cè)得的電阻隨后與摻雜水平相關(guān)聯(lián),,生成校準(zhǔn)曲線以定量分析摻雜濃度。

 

02NAND 結(jié)構(gòu)的原位電學(xué)失效分析

 

通過(guò) AFM-in-FIB/SEM 技術(shù),,對(duì) NAND 結(jié)構(gòu)中的特定通孔進(jìn)行以下分析:

  • 識(shí)別通孔:使用等離子聚焦離子束(PFIB)逐層剝離材料

  • 電學(xué)分析:導(dǎo)電原子力顯微鏡(C-AFM)映射:顯示不同深度節(jié)點(diǎn)的電導(dǎo)異常

  • I/V譜分析:通過(guò)單通孔的電流-電壓曲線診斷失效

  • 實(shí)時(shí)監(jiān)控:在逐層剝離過(guò)程中實(shí)時(shí)觀察,,確保精確鎖定目標(biāo)通孔

 

 

03MOSFET 晶體管的特定位置摻雜濃度分析

 

 

SEM 全局成像:我們采用掃描擴(kuò)展電阻顯微鏡(SSRM)結(jié)合掃描電子顯微鏡(SEM),對(duì)半導(dǎo)體器件中的摻雜濃度進(jìn)行了分析,,實(shí)現(xiàn)了高分辨率,、針對(duì)特定位置的電學(xué)特性表征。

原位 SEM-SSRM 測(cè)量:在納米尺度下映射摻雜濃度,,通過(guò)將掃描電鏡(SEM)成像與局部電學(xué)特性相結(jié)合,,我們能夠精確識(shí)別出摻雜濃度的空間差異,這些差異對(duì)器件的性能表現(xiàn)及可靠性具有決定性影響,。

對(duì) SiC MOSFET 的意義:直接表征摻雜層和結(jié)區(qū),,并分析器件結(jié)構(gòu)的精確形狀、尺寸與深度參數(shù),。確保導(dǎo)電性優(yōu)化,,減少能量損耗,提升器件可靠性與性能,。

 

04網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)直播預(yù)告

 

更多案例分析,,敬請(qǐng)關(guān)注 2025 年 5 月 28 日《芯片內(nèi)部: AFM-SEM 聯(lián)用技術(shù)在電子半導(dǎo)體失效分析中的應(yīng)用》研討會(huì),。

 



相關(guān)產(chǎn)品

更多

虛擬號(hào)將在 秒后失效

使用微信掃碼撥號(hào)

為了保證隱私安全,,平臺(tái)已啟用虛擬電話,,請(qǐng)放心撥打(暫不支持短信)
留言咨詢
(我們會(huì)第一時(shí)間聯(lián)系您)
關(guān)閉
留言類型:
     
*姓名:
*電話:
*單位:
Email:
*留言內(nèi)容:
(請(qǐng)留下您的聯(lián)系方式,,以便工作人員及時(shí)與您聯(lián)系?。?/div>