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項 目 Item | 要 求 Requirement | |
電學(xué)性能 electronic characters | ||
導(dǎo)電類型（type） | P型 (B dopant) | |
電阻率（resistivity）（Ω·cm） | 1.0～3.0 | |
硅錠的少子壽命(minimum lifetime of bricks)（μs） | ≥5（average） | |
氧含量(oxygen)（ppma） | ≤10 | |
碳含量(carbon)（ppma） | ≤16 | |
晶體結(jié)構(gòu) crystal structure | ||
微晶(micro-grains) | 無（no） | |
表面質(zhì)量 appearance | ||
硅落,、缺口、裂紋,、沾污、針孔（chips,V-shape, crack, stain, pinhole） | 無（Not allow） | |
崩邊(edge chips)（mm） | L≤ 0.5,W≤ 0.3,no more than 2/wafer | |
線痕（μm） (saw marks) | ≤15 | |
彎曲度/翹曲度(bow/warp)（μm ） | ≤50 | |
尺寸 dimension | ||
邊長(side length)（mm） | 156.75±0.25 | |
厚度(center thickness) （μm） | 200 | |
180 | ||
TV（μm） | 200 | ±20 |
180 | ±15 | |
TTV（μm） | 200 | ≤30 |
180 | ≤25 | |
垂直度（verticality ） | 90 o±0.3o | |
包裝與儲運 package and carriage | ||
包裝(package) | 1盒400片,；1箱1600片,；1托48000片。 | |
400pcs/box,，1600pcs/case,，48Kpcs/pallet | ||
儲存（Storage） | 溫度（temperature.）：10℃～40℃ | |
濕度（humidity）：≤70% | ||
規(guī)格（mm） | 尺寸Dimension（mm） | |||||
A（Length） | B（Diagonal length） | C（Bevel edge width） | ||||
Max. | Min. | Max. | Min. | Max. | Min. | |
156.75P | 157 | 156.5 | 221.5 | 219.3 | 2 | 0.5 |
注：1.硅片的規(guī)格與電池片規(guī)格相對應(yīng)； | ||||||
2.A,、B,、C分別參見圖1。 | ||||||
Notice: 1.The dimension of wafer is related to the cell | ||||||
2.A,、B,、C refer to Fig. 1 | ||||||
圖1 多晶硅片尺寸示意圖 | ||||||
Fig1 Sketch map of multi-Si wafer | ||||||
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