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面議型號
8英寸導電型外延片品牌
天科合達產(chǎn)地
北京樣本
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技術成果
小于le14cm-3的低本底濃度控制技術
小于3%的厚度均勻性控制技術
小于6%的濃度均勻性控制技術
低的位錯控制技術，BPD轉化效率達99%以上
低的表面缺陷控制技術,，表面缺陷密度小于0.2個/cm2
產(chǎn)品概述
利用碳化硅外延設備在自產(chǎn)碳化硅襯底上生長一層高質量的碳化硅單晶薄膜,，制成碳化硅外延片。碳化硅外延片經(jīng)過晶圓制造,、封裝檢測等環(huán)節(jié),，可制成碳化硅功率器件。
下游產(chǎn)品與應用
碳化硅外延片經(jīng)過晶圓制造,、封裝檢測等環(huán)節(jié),，制成碳化硅二極管、碳化硅MOSFET等功率器件,，適用于高溫,、高壓、大電流等工作環(huán)境,，廣泛應用于新能源汽車,、充電樁、光伏風電,、儲能,、軌道交通,、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源,、工業(yè)驅動,、白色家電等領域。
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