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產品概述
導電型碳化硅襯底是導電型碳化硅晶體經過切割,、研磨、拋光,、清洗等工序加工形成的單晶薄片,。單晶襯底薄片作為第三代半導體的重要原材料，經過同質外延生長,、晶圓制造,、封裝檢測等環(huán)節(jié)，可制成碳化硅基功率器件,，是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料。
8英寸導電型襯底是下一代行業(yè)主流尺寸產品,。8英寸產品質量與6英寸相當,，未來公司將根據(jù)客戶實際需求，同步擴大8英寸襯底生產規(guī)模,，并有效降低生產成本,，推動8英寸襯底不斷向前發(fā)展。
下游產品與應用
碳化硅襯底材料經過同質外延生長,、晶圓制造,、封裝檢測等環(huán)節(jié)，制成碳化硅二極管,、碳化硅MOSFET等功率器件,，適用于高溫、高壓,、大電流等工作環(huán)境,，廣泛應用于新能源汽車、充電樁,、光伏風電,、儲能、軌道交通、智能電網,、工業(yè)電源,、工業(yè)驅動、白色家電等領域,。
| 直徑 | 199.5 mm -200.0 mm | |
| 晶型 | 4H | |
| 厚度 | 500 μm±25 μm | |
| 晶片方向 | 向<11-20>偏轉4.0°±0.5° | |
| 微管密度 | ≤ 0.2 cm-2 | |
| 電阻率 | 0.015-0.025 Ω.cm | |
| Notch晶向 | {10-10} ±5.0° | |
| 邊緣去除 | 3 mm | |
| 局部厚度變化/總厚度變化/彎曲度/翹曲度 | ≤5 μm/≤10 μm/±35 μm/70 μm | |
| 表面粗糙度 | 拋光 Ra ≤ 1 nm | |
| CMP Ra ≤ 0.2 nm | ||
| 邊緣裂紋（強光燈觀測） | —— | |
| 六方空洞（強光燈觀測） | 累計面積 ≤ 0.05% | |
| 多型（強光燈觀測） | —— | |
| 目測包裹物（日光燈觀測） | 累計面積≤ 0.05% | |
| 硅面劃痕（強光燈觀測） | —— | |
| 崩邊（強光燈觀測） | 不允許寬度≥ 0.2 mm,，深度≥ 0.2 mm | |
| 穿透螺位錯（TSD） | ≤ 300 cm-2 | |
| 硅面污染物（強光燈觀測） | —— | |
| 包裝 | 多片卡塞/單片盒包裝 | |
暫無數(shù)據(jù)！
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