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1,、原子力顯微鏡是可以實(shí)現(xiàn)納米尺度下高精度三維成像及測(cè)量的顯微工具,。

2,、主要應(yīng)用于半導(dǎo)體微納器件和納米材料的表面三維形貌,、粗糙度、缺陷等測(cè)量,。

3,、本款國(guó)產(chǎn)化儀器具備性能穩(wěn)定、測(cè)量精度高,、測(cè)量速度快等特性,。

4、可選配電性模塊,、力學(xué)模塊,、納米操作模塊等定制。

5,、掃描模式有頭掃描和樣品掃描兩種模式

6,、樣品尺寸,從2英寸至12英寸,，還可特殊訂制,。

主要功能介紹：

*該系統(tǒng)采用當(dāng)今國(guó)際***的一體式中央控制三維全量程閉環(huán)頭部掃描。壓電陶瓷掃描頭在低工作電壓下提供X,，Y和Z方向的高精準(zhǔn)度納米級(jí)運(yùn)動(dòng),，具有高度線性運(yùn)動(dòng)和無(wú)蠕變的顯著優(yōu)點(diǎn)。

*CD—AFM-12S配備尖端頭部掃描模塊,，此配置在靈活性和樣本的大小方面提供了顯著的優(yōu)勢(shì),。被測(cè)樣品大小與重量不受限制，幾乎任何大小或重量的納米材料都可進(jìn)行表面三維形貌與粗糙度的測(cè)量,。

*可實(shí)現(xiàn)大范圍的高精度掃描,，樣品尺寸和重量不受限制，如大光柵,、特殊形狀光柵等,。（需定制選配）

*CD—AFM-12S及CD—AFM-12S PRO除常規(guī)測(cè)試模塊，還可根據(jù)用戶需求進(jìn)行個(gè)性化定制：得益于開(kāi)放式平臺(tái)的設(shè)計(jì),，可增加對(duì)晶圓的應(yīng)力,、翹曲度檢測(cè)。

檢測(cè)定位方式：軟件控制的行程300mm二維工作臺(tái)自動(dòng)定位,，保證12英寸樣品無(wú)盲區(qū)定位和檢測(cè),。馬達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式，以保護(hù)探針和樣品。探針升降行程優(yōu)于20mm（探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上,，便于測(cè)量厚度更大的樣品,。）

*超實(shí)用和擴(kuò)展，可以實(shí)現(xiàn)各種測(cè)量?jī)x器的聯(lián)動(dòng)使用,，*終實(shí)現(xiàn)跨尺度原位檢測(cè),。

*原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng)，配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,，同軸可調(diào)亮度輔助照明光源,。

*配備封閉式金屬防護(hù)罩，氣動(dòng)減震器平臺(tái),，強(qiáng)大的抗干擾能力,，始終使噪聲比達(dá)到**狀態(tài)。

主要應(yīng)用場(chǎng)景：

微納材料表面三維形貌,、粗糙度的檢測(cè)——

包括：晶圓（硅片）,；光柵；陶瓷,；合金,；薄膜；晶體,；超晶玻璃,；高分子材料；復(fù)合材料,；第三代半導(dǎo)體砷化鎵,、氮化鎵、鈮酸鋰化合物襯底等,。

設(shè)備主要技術(shù)指標(biāo)：

1,、工作模式：

Tapping mode(輕敲模式）、contact mode（接觸模式）,、non-contactmode（非接觸模式）,、Phase Imaging Mode（相位成像模式）、Force curve: F-Z force curve, RMS-Z curve（力曲線:F-Z力曲線,，RMS-Z曲線）,、LFM（側(cè)向力模式）、EFM（靜電力顯微鏡）,、MFM（磁力顯微鏡）,、SKPM（掃描開(kāi)爾文顯微鏡）、Piezoresponse force microscopy(PFM) （壓電力顯微鏡）,、Conducting atomic force microscope(C-AFM) I-V曲線（導(dǎo)電原子力顯微鏡）,、Young's modulus 楊氏模量（選配）,、Nanolithography and Nanomanipulation（納米刻蝕和納米操作）。

2,、XYZ掃描方式：一體式三維全量程閉環(huán)頭部掃描,，實(shí)現(xiàn)閉環(huán)反饋，定位更精準(zhǔn),。具備全探針掃描技術(shù)的掃描器,，掃描過(guò)程中由掃描器帶動(dòng)探針進(jìn)行XYZ三個(gè)方向的移動(dòng)，而樣品為靜止?fàn)顟B(tài),。

3,、XYZ 掃描范圍：≥90μm×90μm×10μm掃描器噪聲：Z方向≤0.035nm；XY方向≤0.15nm,。

4,、進(jìn)針?lè)绞剑褐悄茏詣?dòng)進(jìn)針?lè)绞剑捎民R達(dá)加壓電陶瓷自動(dòng)探測(cè)的智能進(jìn)針模式,，以保護(hù)探針及樣品,。探針升降行程優(yōu)于20mm（探針升降行程還可優(yōu)于30mm及以上，便于測(cè)量厚度更大的樣品,。）

5,、樣品臺(tái)尺寸≥300mm;能放置**樣品高度≥20mm;樣品大小重量不受限，樣品臺(tái)自動(dòng)移動(dòng)XY行程≥300x300mm,。真空吸附樣品臺(tái),，自動(dòng)適應(yīng)各種尺寸晶圓的全軟件控制的多道真空吸軌并且可360度旋轉(zhuǎn)。

6,、控制器內(nèi)置三個(gè)鎖向放大器,，控制器反饋?lái)憫?yīng)時(shí)間2μs,?？刂破髟赬YZ三個(gè)軸上都有三個(gè)獨(dú)立的16位DAC位的數(shù)模轉(zhuǎn)換器，（共18個(gè)）用來(lái)控制掃描尺寸和掃描形狀等,。每條掃描線可獲得更多的數(shù)據(jù)點(diǎn)(≥16000),；8通道同時(shí)成像；可同時(shí)獲得≥5000×5000數(shù)據(jù)點(diǎn),。

7,、熱噪音法標(biāo)定探針彈性系數(shù)的頻率上限≥2MHz；皮牛級(jí)力作反饋進(jìn)行表面成像,，力曲線頻率≥2000Hz,。只需選擇掃描范圍，就能夠在掃描過(guò)程自動(dòng)調(diào)節(jié) 接觸力,、電路增益等參數(shù),。

8、可在液體環(huán)境中進(jìn)行形貌測(cè)試。

9,、可實(shí)現(xiàn)微區(qū)電,、磁疇結(jié)構(gòu)表征（晶粒/晶界、疇/疇壁）,、微區(qū)性能（電容,、電流、極化強(qiáng)度等）分析,?？蓪?shí)現(xiàn)靜電力顯微鏡和掃描開(kāi)爾文探針顯微鏡的單次成像技術(shù)，顯著提高測(cè)試的分辨率和靈敏度,。具備形貌,，面外和面外壓電力信號(hào)同時(shí)實(shí)時(shí)掃描成像功能。供快速力譜功能,。

10,、多點(diǎn)自動(dòng)掃描模式。

11,、高精度納米力學(xué)測(cè)試模式,，定量楊氏模量、黏附力,，定量形變量等二維分布圖的同時(shí),，還實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍的電流二維分布圖。納米力學(xué)和表面電勢(shì)原位測(cè)試模式：實(shí)時(shí)獲得測(cè)試范圍各處的表面電勢(shì)分布圖,。

12,、掃描電容顯微鏡模塊，通過(guò)測(cè)量微電容變化,，得出載流子濃度分布圖像,。

13、掃描擴(kuò)散電阻顯微鏡模塊,。

14,、光學(xué)定位：具有二維測(cè)量功能的原位數(shù)字化高分辨光學(xué)顯微鏡觀測(cè)系統(tǒng)，配備1-12倍無(wú)級(jí)光學(xué)變焦,，同軸可調(diào)亮度輔助照明光源,。

15、防震措施： 一體封閉式隔音及防電磁屏蔽裝置,，氣浮防震臺(tái),，帶自動(dòng)充氣泵。

產(chǎn)品參數(shù)