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設備特點
●工件臺：圓周旋轉(zhuǎn)或者掃描運動,，刻蝕角度可調(diào)，刻蝕均勻性高,，兼容刻蝕和拋光功能
●工件臺采用水冷,，確保晶片低溫刻蝕
●可配置等離子體中和槍，確保晶片表面無電荷積累
●可配置法拉第測束裝置,，確保工藝參數(shù)的可重復
●真空系統(tǒng)分子泵/低溫泵可選
技術(shù)指標
●工件臺
適用晶片尺寸：4"～8"，兼容不規(guī)則方片
圓周旋轉(zhuǎn)/往復掃描運動
●離子源：考夫曼離子源
離子束能量：0eV～1000eV連續(xù)可調(diào)
束流 ：**200mA （圓形）或**300mA （條形）
●刻蝕均勻性 ：片內(nèi)±5%,，片間±3%
應用范圍
用于在基板表面拋光或材料的去除,，尤其適用于金屬材料薄膜的刻蝕，如Cu,、Au,、Pt、Ti,、Ni,、NiCr等
暫無數(shù)據(jù)！
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