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立式爐主要適用于6"、8",、12"晶圓的氧化,、合金、退火等工藝,。
氧化是在中高溫下通入特定氣體（O2/H2/DCE）,，在硅片表面發(fā)生氧化反應(yīng)，生成二氧化硅薄膜的一種工藝,。生成的二氧化硅薄膜可以作為集成電路器件前道的緩沖介質(zhì)層和柵氧化層等,。
退火是在中低溫條件下,，通入惰性氣體（N2），消除硅片界面處晶格缺陷和晶格損傷,，優(yōu)化硅片界面質(zhì)量的一種工藝,。
應(yīng)用領(lǐng)域：
用于IC集成電路、MEMS,、電力電子器件,、光電子器件等領(lǐng)域。
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