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磁控濺射系統(tǒng)

設(shè)備特點(diǎn)：

●具有多個(gè)濺射靶，可沉積單層,、多層薄膜,、合金薄膜和摻雜薄膜；

●濺射方式：自下而上濺射,、自上而下濺射可選,；

●基片臺可加熱，可制備單晶薄膜,；

●可選配輔助清洗離子源,，有效提高薄膜的附著力；

技術(shù)指標(biāo)

●靶材數(shù)量：2-4個(gè)

●基片尺寸：2-8英寸

●基片臺轉(zhuǎn)速：5-30rpm,，轉(zhuǎn)速連續(xù)可調(diào)

In-line磁控濺射系統(tǒng)

設(shè)備特點(diǎn)

●臥室雙腔結(jié)構(gòu),，工件盤在上料室裝片，在濺射室進(jìn)行掃描運(yùn)動(dòng)濺射成膜,；

●上料室預(yù)抽真空,，保證濺射室良好的真空環(huán)境，實(shí)現(xiàn)連續(xù)生產(chǎn)；

●配置基片烘烤,、清洗功能,；

●用戶具有多級操作權(quán)限，具備一鍵式全自動(dòng)工藝運(yùn)行,，歷史數(shù)據(jù)可查詢,。

●靶材利用率高

技術(shù)指標(biāo)

●基片尺寸：** 400mm × 400mm 

●工件盤掃描速度：50mm/s ～ 200mm/s ，連續(xù)可調(diào)

應(yīng)用范圍

　　在平面基片表面鍍制各種金屬,、非金屬,、化合物等薄膜材料。如Al,、Cu,、Au、Pt,、Ti,、Ni、W,、NiCr,、TiW、SiO2,、Al2O3,、TiO2、ZnO,、TaN,、ITO等薄膜。