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?自動(dòng)化工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡,，帶來(lái)線上晶片檢查和測(cè)量

Park Systems推出業(yè)內(nèi)噪聲*低的全自動(dòng)化工業(yè)級(jí)原子力顯微鏡——XE-Wafer,。該自動(dòng)化原子力顯微鏡系統(tǒng)旨在為全天候生產(chǎn)線上的亞米級(jí)晶體（尺寸200 mm和300 mm）提供線上高分辨率表面粗糙度、溝槽寬度,、深度和角度測(cè)量,。借助True Non-Contact™模式，即便是在結(jié)構(gòu)柔軟的樣品,，例如光刻膠溝槽表面，XE-Wafer可以實(shí)現(xiàn)無(wú)損測(cè)量,。

?現(xiàn)有問(wèn)題

目前,，硬盤和半導(dǎo)體業(yè)的工藝工程師使用成本高昂的聚焦離子束(FIB)/掃瞄式電子顯微鏡(SEM)獲取納米級(jí)的表面粗糙度、側(cè)壁角度和高度,。不幸的是,，FIB/SEM會(huì)破壞樣品,，且速度慢，成本高昂,。

?解決方案

NX-Wafer原子力顯微鏡實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)化的在線200 mm & 300 mm晶體表面粗糙度,、深度和角度測(cè)量，且速度快,、精度高、成本低,。

?益處

NX-Wafer讓無(wú)損線上成像成為可能,，并實(shí)現(xiàn)多位置的直接可重復(fù)高分辨率測(cè)量,。更高的精確度和線寬粗糙度監(jiān)控能力讓工藝工程師得以制造性能更高的儀器,，且成本顯著低于FIB/SEM。

?應(yīng)用

l串?dāng)_消除實(shí)現(xiàn)無(wú)偽影測(cè)量

· 獨(dú)特的解耦XY軸掃描系統(tǒng)提供平滑的掃描平臺(tái)

· 平滑的線性XY軸掃描將偽影從背景曲率中消除

· 精確的特征特亮和行業(yè)**的儀表統(tǒng)計(jì)功能

· **的工具匹配

lCD(臨界尺寸)測(cè)量

出眾的精確且精密納米測(cè)量在提高效率的同時(shí),，也為重復(fù)性與再現(xiàn)性研究帶來(lái)**的分辨率和*低的儀表西格瑪值。

l精密的納米測(cè)量

媒介和基體亞納米粗糙度測(cè)量

憑借行業(yè)*低的噪聲和創(chuàng)新的True Non-Contact^TM模式,，XE-Wafer在*平滑的媒介和基體樣品上實(shí)現(xiàn)*精確的粗糙度測(cè)量,。

l精確的角度測(cè)量

Z軸掃描正交性的高精度校正讓角度測(cè)量時(shí)精確度小于0.1度。

l溝槽測(cè)量

獨(dú)有的True Non-Contact模式能夠線上無(wú)損測(cè)量小至45 nm的腐蝕細(xì)節(jié),。

l精確的硅通孔化學(xué)機(jī)械研磨輪廓測(cè)量

借助低系統(tǒng)噪聲和平滑輪廓掃描功能，Park Systems實(shí)現(xiàn)了****的硅通孔化學(xué)機(jī)械研磨(TSV CMP)輪廓測(cè)量,。

?Park NX-Wafer特點(diǎn)

l全自動(dòng)圖形識(shí)別

借助強(qiáng)大的高分辨率數(shù)字CCD鏡頭和圖形識(shí)別軟件，Park NX-Wafer讓全自動(dòng)圖形識(shí)別和對(duì)準(zhǔn)成為可能,。

l自動(dòng)測(cè)量控制

自動(dòng)化軟件讓NX-Wafer的操作不費(fèi)吹灰之力,。測(cè)量程序針對(duì)懸臂調(diào)諧,、掃描速率、增益和點(diǎn)參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,，為您提供多位置分析,。

l真正非接觸模式和更長(zhǎng)的探針使用壽命

得益于**的高強(qiáng)度Z軸掃描系統(tǒng)，XE系列原子力顯微鏡讓真正非接觸模式成為可能,。真正非接觸模式借助了原子間的相互吸引力，而非相互排斥力,。

因此,，在真正非接觸模式下，探針與樣品間的距離可以保持在幾納米,，從而蓋上原子力顯微鏡的圖像質(zhì)量，保證探針尖端的鋒利度,，延長(zhǎng)使用壽命,。

l解耦的柔性XY軸與Z軸掃描器

Z軸掃描器與XY軸掃描器完全解耦。XY軸掃描器在水平面移動(dòng)樣品,，而Z軸掃描器則在垂直方向移動(dòng)探針。該設(shè)置可實(shí)現(xiàn)平滑的XY軸測(cè)量,，讓平面外移動(dòng)降到*低,。此外，XY軸掃描的正交性和線性也極為出色,。

l行業(yè)*低的本底噪聲

為了檢測(cè)*小的樣品特征和成像*平的表面，Park推出行業(yè)本底噪聲*低（< 0.5A）的顯微鏡,。本底噪聲是在“零掃描”情況下確定的,。當(dāng)懸臂與樣品表面接觸時(shí),，在如下情況下測(cè)量系統(tǒng)噪聲：

·0 nm x 0 nm掃描范圍，停在一個(gè)點(diǎn)

·0.5增益,，接觸模式

·256 x 256像素

l選項(xiàng)

高通量自動(dòng)化

自動(dòng)探針更換(ATX)

借助自動(dòng)探針更換功能,，自動(dòng)測(cè)量程序能夠無(wú)縫銜接。該系統(tǒng)會(huì)根據(jù)參考圖形測(cè)量數(shù)據(jù),，自動(dòng)校正懸臂的位置和優(yōu)化測(cè)量設(shè)定。創(chuàng)新的磁性探針更換功能,，成功率高達(dá)99%,，高于傳統(tǒng)的真空技術(shù)。

設(shè)備前端模塊(EFEM)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)晶體處理

您可以為NX-Wafer加裝自動(dòng)晶片裝卸器(EFEM或FOUP或其他),。高精度無(wú)損晶片裝卸機(jī)械臂能夠百分百保證XE-Wafer用戶享受到快速且穩(wěn)定的自動(dòng)化晶片測(cè)量服務(wù),。

長(zhǎng)距離移動(dòng)平臺(tái)，助力化學(xué)機(jī)械研磨輪廓掃描

該平臺(tái)帶有專有的用戶界面,，可支持自動(dòng)化學(xué)機(jī)械研磨輪廓掃描和分析,。平面外運(yùn)動(dòng)(OPM)在樣品為5 mm時(shí)小于2 nm,；10 mm時(shí)小于5 nm；50 mm時(shí)小于100 nm

離子化系統(tǒng)

離子化系統(tǒng)可有效地消除靜電電荷,。由于系統(tǒng)隨時(shí)可生產(chǎn)和位置正離子和負(fù)離子之間的理想平衡,，便可以穩(wěn)定地離子化帶電物體，且不會(huì)污染周邊區(qū)域,。它也可以消除樣品處理過(guò)程中意外生成的靜電電荷,。