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Thorlabs提供一系列分立光電二極管和經(jīng)過(guò)校準(zhǔn)的光電二極管,。其中包括銦鎵砷（InGaAs）光電二極管，磷化鎵 （GaP）光電二極管，硅（Si）光電二極管,， 和鍺（Ge）光電二極管,。我們也提供一些專用的光電二極管。例如DSD2雙波段光電二極管,，它在一個(gè)包裝內(nèi)同時(shí)提供硅光電二極管和銦砷化鎵光電二極管,，兩者結(jié)合起來(lái)可以達(dá)到400到1700納米的波長(zhǎng)范圍。FGA20是一個(gè)具有高響應(yīng)率的銦鎵砷光電二極管,，波長(zhǎng)范圍從1200到2600納米,，能夠探測(cè)到的波長(zhǎng)范圍比典型的銦鎵砷光電二極管的1800納米要高。我們也提供FGAP71,，它是一種磷化鎵（GaP）光電二極管,，它的波長(zhǎng)范圍是我們所提供的光電二極管中*短的，從150納米到550納米,。
磷化鎵光電二極管－紫外波長(zhǎng)
Zoom 超短波長(zhǎng)范圍（150至550納米） 快速上升時(shí)間 安裝在帶有藍(lán)寶石窗口的密封封裝內(nèi)型號(hào) #波長(zhǎng)范圍 (nm)有效面積二極管封裝類型b上升/(下降) 時(shí)間a噪音等效功率 (W/Hz1/2)暗電流接合電容aFGAP71 150 - 550 4.8 mm2 (2.5 mm x 2.5 mm) - 1 ns (140 ns) @ 5 V 1.0 x 10-14 @ 440 nm 10 nA (**) @ 5 V - a) 典型值 RL＝50歐姆 b) 詳細(xì)的引腳配置請(qǐng)參見(jiàn)規(guī)格表ください,。 |
| 硅光電二極管－可見(jiàn)光波長(zhǎng) |
| ZoomFDS02特性：直接光纖耦合FC/PC封裝系統(tǒng)，并且保持高速特性FDS010特性：紫外級(jí)融石英窗口,，提供低至200納米的靈敏度范圍FDS100特性：TO-5型金屬封裝中**的傳感器FDS1010特性：安裝在絕緣的陶瓷襯底上,，在本系列中具有**有效面積。型號(hào) #波長(zhǎng)范圍 (nm)有效面積二極管封裝類型b上升/（下降） 時(shí)間aNEP (W/Hz1/2)暗電流(典型値)結(jié)電容aFDS02 400 - 1100 0.25 mm TO-46 FC/PC Connector 47 ps (246 ps) @ -5 V 9.3 x 10-15 35 pAd @ 5 V 0.94 pF @ 5 VFDS010 200 - 1100 0.81 mm2 (Ø1 mm) TO-5/PIN @ 20 V 5.0 x 10-14 @ 900 nm 2.5 nA 10 pF @ 0 VFDS100 350 - 1100 13 mm2 (3.6 mm x 3.6 mm) TO-5/PIN 10 ns (10 ns) @ 20 V 1.2 x 10-14 @ 900 nm 20 nA 20 pF @ 1VFDS1010 400 - 1100 100 mm2 (9.7 mm x 9.7 mm) Ceramic Wafer 45 ns (45 ns) @ 5 V 5.5 x 10-13 @ 900 nm 0.6 µA @ 5V 375 pF @ 5V a) 典型値. RL = 50 歐姆 b) 詳細(xì)引腳配置請(qǐng)參看專門規(guī)格表 d) **500 pA |
| 銦鎵砷光電二極管—近紅外到紅外波長(zhǎng) |
| ZoomFGA04特性：直接光纖耦合FC/PC封裝系統(tǒng),，并且保持高速特性FGA10特性：高速、有效面積大,。FGA20特性：波長(zhǎng)范圍長(zhǎng)FGA21特性：本系列中有效面積**的產(chǎn)品,。型號(hào)波長(zhǎng)范圍(nm)有效面積二極管封裝形式b上升（下降）時(shí)間aNEP (W/Hz1/2)暗電流(典型值)結(jié)電容aFGA04c 800 - 1800 0.008 mm2 (Ø0.1 mm) TO-46 w/ FC/PC Connector 100 ps (100 ps) @ 5 V 1.5 x 10-15 @ 1550 nm 0.5 nA @ 5 V 1.0 pF @ 5 VFGA10 700 - 1800 0.81 mm2 (Ø1 mm) TO-5/PIN 10 ns (10 ns) @ 5 V 2.5 x 10-14 @ 900 nm 100 nA @ 5 V (max) 80 pF @ 0 VFGA20 1200 - 2600 0.79 mm2 (Ø1 mm) TO-18/PIN 23 ns (23 ns) @ 1 V 2.0 x 10-12 75 µA @ 1 V (max) 200 pF @ 1 VFGA21 800 - 1800 3.14 mm2 (Ø2 mm) TO-5/PIN 66 ns (66 ns) @ 0 V 3.0 x 10-14 @ 2300 nm 200 nA @ 1 V 500 pF @ 0 V a)典型値.RL=5歐姆 b) 詳細(xì)的引腳配置請(qǐng)參見(jiàn)規(guī)格表。 c) 探測(cè)器本身的損傷閾值為70毫瓦（連續(xù)光）然而,，封裝內(nèi)部的電線（非導(dǎo)線）在光電流超過(guò)10毫安的情況下可能會(huì)熔化,，將會(huì)造成裝置失效。當(dāng)將FGA04用于更高功率的應(yīng)用時(shí),，該區(qū)域中探測(cè)器具有高的響應(yīng)率,，請(qǐng)考慮使用 光纖衰減器。t |
| 鍺光電二極管－近紅外波長(zhǎng) |
| ZoomFDG03具有大有效面積,，為TO-5封裝,。FDG05為陶瓷襯底并具有高速特性。FDG1010為陶瓷襯底,，其上具有**的有效面積,。 請(qǐng)注意，F(xiàn)DG05和FDG1010上的引線是通過(guò)導(dǎo)電的環(huán)氧樹(shù)脂連接到傳感器上,，因?yàn)楹附訒?huì)破壞傳感器,。這使得連接比較脆弱。參看內(nèi)附的操作說(shuō)明保護(hù)連接處。型號(hào) #波長(zhǎng)范圍 (nm)有效面積二極管封裝類型b上升/(下降) 時(shí)間aNEP (W/Hz1/2)暗電流（典型值）結(jié)電容aFDG03 800 - 1800 7.1 mm2 (Ø3 mm) TO-5/PIN 500 ns (500 ns) @ 3 V 1.0 x 10-12 @ 1550 nm 4.0 µA @ 1 V 4 nF @ 1 VFDG05 800 - 1800 19.6 mm2 (Ø5 mm) Ceramic Substrate 220 ns @ 3 V 4.0 x 10-12 @ 1550 nm 40 µA @ 3 V 3 nF @ 5 VFDG1010 800 - 1800 100 mm2 (10 mm x 10 mm) Ceramic Substrate 3.5 µs @ 1 V 4.0 x 10-12 @ 1550 nm 50 µA (max.) @ 0.5 V 30 nF @ 0.5 V a) 典型值,。 RL=50歐姆 b) 詳細(xì)引腳圖請(qǐng)參看規(guī)格表 |
| 雙波段探測(cè)器 |
| Zoom 雙探測(cè)器芯片設(shè)計(jì)－硅在銦鎵砷上－具備寬探測(cè)范圍 4引腳的TO-5型封裝 大有效面積型號(hào) #波長(zhǎng)范圍 (nm)有效面積二極管封裝類型b上升/(下降) 時(shí)間aNEP (W/Hz1/2)典型暗電流結(jié)電容aDSD2 400 - 1100 1000 - 1700 Ø2.54 mm Ø1.5 mm TO-5/PIN 4 µs (典型値) (兩層) 1.9 x 10-14 2.1 x 10-13 - 450 pF 300 pF a) 典型値 RL =50歐姆 b) 詳細(xì)引腳圖請(qǐng)參看規(guī)格表> |
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