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ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如,，膜層厚度,、表面微粗糙度等）和光學(xué)參數(shù)（如，折射率n,、消光系數(shù)k,、復(fù)介電常數(shù)ε等），也可用于測量塊狀材料的光學(xué)參數(shù),。
ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā),。
ESS03適合很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料,、聚合物,、半導(dǎo)體、金屬等的實時和非實時檢測,，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn),，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）,。
ESS03可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度,、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子,、半導(dǎo)體,、集成電路、顯示技術(shù),、太陽電池、光學(xué)薄膜,、生命科學(xué),、化學(xué)、電化學(xué),、磁介質(zhì)存儲,、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等,。
薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理,、化學(xué)、信息,、環(huán)保等,，典型應(yīng)用如：
項目 | 技術(shù)指標(biāo) |
光譜范圍 | ESS03VI：370-1700nm ESS03UI：245-1700nm |
光譜分辨率（nm） | 可設(shè)置 |
入射角度 | 40°-90°手動調(diào)節(jié),，步距5，重復(fù)性0.02 |
準(zhǔn)確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,，δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時） |
膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測量重復(fù)性（1） | 0.001 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式） |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準(zhǔn)確度） |
可測量樣品**尺寸 | 直徑200 mm |
樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍：10mm |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對準(zhǔn) | 光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用 | |
•安全的權(quán)限管理模式（管理員,、操作員） | |
•方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
暫無數(shù)據(jù),！
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