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ESS03波長(zhǎng)掃描時(shí)式多入射角光譜橢偏儀
ESS03波長(zhǎng)掃描時(shí)式多入射角光譜橢偏儀

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北京賽凡光電儀器有限公司

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ES0S3是針對(duì)科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測(cè)量領(lǐng)域推出的波長(zhǎng)掃描式高精度多入射角光譜橢偏儀,此系列儀器的波長(zhǎng)范圍覆蓋紫外,、可見(jiàn),、近紅外、到遠(yuǎn)紅外,。

ESS03采用寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量,。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀用于測(cè)量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)(如,膜層厚度,、表面微粗糙度等)和光學(xué)參數(shù)(如,,折射率n、消光系數(shù)k,、復(fù)介電常數(shù)ε等),,也可用于測(cè)量塊狀材料的光學(xué)參數(shù)。

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā),。

技術(shù)特點(diǎn):

  • 極寬的光譜范圍

    采用寬光譜光源,、寬光譜掃描德系統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì),保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準(zhǔn)確度,,非常適合于對(duì)光譜范圍要求極其嚴(yán)格的場(chǎng)合,。
  • 靈活的測(cè)量設(shè)置

    儀器的多個(gè)關(guān)鍵參數(shù)可根據(jù)要求而設(shè)定(包括:波長(zhǎng)范圍、掃描步距,、入射角度等),,極大地提高了測(cè)量的靈活性,可以勝任要求苛刻的樣品,。
  • 原子層量級(jí)的檢測(cè)靈敏度

    國(guó)際先進(jìn)的采樣方法,、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計(jì)和制造工藝實(shí)現(xiàn)并保證了能夠測(cè)量原子層量級(jí)地納米薄膜,,膜厚精度達(dá)到0.05nm,。
  • 非常經(jīng)濟(jì)的技術(shù)方案

    采用較經(jīng)濟(jì)的寬光譜光源結(jié)合掃描單色儀的方式實(shí)現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測(cè)量,,儀器整體成本得到有效降低。

應(yīng)用領(lǐng)域:

ESS03系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā),。

ESS03適合很大范圍的材料種類,,包括對(duì)介質(zhì)材料、聚合物,、半導(dǎo)體、金屬等的實(shí)時(shí)和非實(shí)時(shí)檢測(cè),,光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體地臨界點(diǎn),,這對(duì)于測(cè)量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級(jí)到10微米左右),。

ESS03可用于測(cè)量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度,、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括:微電子,、半導(dǎo)體,、集成電路、顯示技術(shù),、太陽(yáng)電池,、光學(xué)薄膜、生命科學(xué),、化學(xué),、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲(chǔ),、平板顯示,、聚合物及金屬表面處理等。

薄膜相關(guān)應(yīng)用涉及物理,、化學(xué),、信息、環(huán)保等,,典型應(yīng)用如:

  • 半導(dǎo)體:如:介電薄膜,、金屬薄膜、高分子,、光刻膠,、硅、PZT膜,,激光二極管GaN和AlGaN,、透明的電子器件等);
  • 平板顯示:TFT,、OLED,、等離子顯示板、柔性顯示板等;
  • 功能性涂料:增透型,、自清潔型,、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層,,以及高分子,、油類、Al2O3表面鍍層和處理等,;
  • 生物和化學(xué)工程:有機(jī)薄膜,、LB膜、SAM膜,、蛋白子分子層,、薄膜吸附、表面改性處理,、液體等,。
  • 節(jié)能環(huán)保領(lǐng)域:LOW-E玻璃等。
ESS03系列也可用于測(cè)量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k,。應(yīng)用領(lǐng)域包括:固體(金屬,、半導(dǎo)體、介質(zhì)等),,或液體(純凈物或混合物),。典型應(yīng)用包括:

  • 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。

技術(shù)指標(biāo):

項(xiàng)目
技術(shù)指標(biāo)
光譜范圍
ESS03VI:370-1700nm
ESS03UI:245-1700nm
光譜分辨率(nm)
可設(shè)置
入射角度
40°-90°手動(dòng)調(diào)節(jié),,步距5,,重復(fù)性0.02
準(zhǔn)確度
δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04°
(透射模式測(cè)空氣時(shí))
膜厚測(cè)量重復(fù)性(1)
0.05nm (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測(cè)量重復(fù)性(1)
0.001 (對(duì)于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測(cè)量時(shí)間
典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測(cè)量模式)
光學(xué)結(jié)構(gòu)
PSCA(Δ在0°或180°附近時(shí)也具有極高的準(zhǔn)確度)
可測(cè)量樣品**尺寸
直徑200 mm
樣品方位調(diào)整
高度調(diào)節(jié)范圍:10mm
二維俯仰調(diào)節(jié):±4°
樣品對(duì)準(zhǔn)
光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)
軟件
•多語(yǔ)言界面切換
•預(yù)設(shè)項(xiàng)目供快捷操作使用
•安全的權(quán)限管理模式(管理員,、操作員)
•方便的材料數(shù)據(jù)庫(kù)以及多種色散模型庫(kù)
•豐富的模型數(shù)據(jù)庫(kù)
選配件
自動(dòng)掃描樣品臺(tái)
聚焦透鏡
注:(1)測(cè)量重復(fù)性:是指對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn),、同一條件下連續(xù)測(cè)量30次所計(jì)算的標(biāo)準(zhǔn)差。

可選配件:

  • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標(biāo)片
  • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標(biāo)片
  • VP01真空吸附泵
  • VP02真空吸附泵
  • 樣品池

創(chuàng)新點(diǎn)

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相關(guān)資料
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用戶評(píng)論

產(chǎn)品質(zhì)量

10分

售后服務(wù)

10分

易用性

10分

性價(jià)比

10分
評(píng)論內(nèi)容
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公司動(dòng)態(tài)
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