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EMPro-PV用于測量絨面單晶硅或多晶硅太陽電池表面減反膜鍍層的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可測量光滑平面材料上的單層或多層納米薄膜的膜層厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系數(shù)k,。
EMPro-PV融合多項量拓科技**技術(shù),，采用一體化樣品臺技術(shù),，兼容測量單晶和多晶太陽電池樣品，并實現(xiàn)二者的輕松轉(zhuǎn)換,。一鍵式多線程操作軟件,，使得儀器操作簡單安全。
EMPro-PV也可用于測量光滑平面基底上鍍的納米單層膜或雙層膜，包括膜層的厚度,，以及在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k,。也可用于測量塊狀材料（包括，液體,、金屬,、半導(dǎo)體,、介質(zhì)等）在632.8nm下的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括半導(dǎo)體,、微電子,、平板顯示等,。
| 項目 | 技術(shù)指標(biāo) |
| 儀器型號 | EMPro-PV |
| 版本號 | 31 |
| 激光波長 | 632.8nm (He-Ne Laser) |
| 膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 0.03nm (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 折射率精度（1） | 1x10-4 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 3x10-4 (對于絨面Si基底上80nm的Si3N4膜層) | |
| 單次測量時間 | 與測量設(shè)置相關(guān),，典型0.6s |
| 結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準(zhǔn)確度） |
| 激光光束直徑 | 1mm |
| 入射角度 | 40°-90°可手動調(diào)節(jié),，步進(jìn)5° |
| 樣品方位調(diào)整 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品,； |
| 可測量156*156mm電池樣品上每個點 | |
| Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm | |
| 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
| 樣品對準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) | |
| 樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達(dá)Φ170mm |
| 兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
| **的膜層測量范圍 | 粗糙表面樣品：與絨面物理結(jié)構(gòu)及材料性質(zhì)相關(guān) |
| 光滑平面樣品：透明薄膜可達(dá)4000nm，吸收薄膜與材料性質(zhì)相關(guān) | |
| **外形尺寸(長x寬x高) | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
| 儀器重量（凈重） | 25Kg |
| 選配件 | 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺 |
| 真空吸附泵 | |
| 軟件 | ETEM軟件： |
| l 中英文界面可選 | |
| l 太陽能電池樣品預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用 | |
| l 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合 | |
| l 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 | |
| l 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |
暫無數(shù)據(jù),！
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