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ESS01是針對科研和工業(yè)環(huán)境中薄膜測量推出的波長掃描式,、高精度自動變入射角度光譜橢偏儀，此系列儀器波長范圍覆蓋紫外,、可見,、近紅外到遠紅外。

ESS01采用寬光譜光源結合單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量,。

ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數（如,，厚層厚度、表面為粗糙度等）和光學參數（如,，折射率n,、消光系數k、復介電常數ε等）,，也可用于測量塊狀材料的光學參數,。

ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā)。

技術特點：

• 極寬的光譜范圍

  采用寬光譜光源,、寬光譜掃描的系統(tǒng)光學設計,，保證了儀器在極寬的光譜范圍下都具有高準確度，非常適合于對光譜范圍要求極其嚴格的場合,。

• 靈活的測量設置

  儀器的多個關鍵參數可根據要求而設定（包括：波長范圍,、掃描步距、入射角度等）,，極大地提高了測量的靈活性,，可以勝任要求苛刻的樣品。

• 原子層量級的檢測靈敏度

  國際先進的采樣方法,、高穩(wěn)定的核心器件,、高質量的設計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量級地納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm,。

• 非常經濟的技術方案

  采用較經濟的寬光譜光源結合掃描單色儀的方式實現(xiàn)高光譜分辨的橢偏測量,，儀器整體成本得到有效降低。

應用領域：

ESS01系列多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發(fā),。

ESS01適合很大范圍的材料種類,，包括對介質材料、聚合物,、半導體,、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,，這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用,。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量級到10微米左右）。

ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k,。應用領域包括：微電子,、半導體、集成電路,、顯示技術,、太陽電池、光學薄膜,、生命科學,、化學、電化學,、磁介質存儲,、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等,。

薄膜相關應用涉及物理,、化學、信息,、環(huán)保等,，典型應用包括：

• 半導體：如：介電薄膜、金屬薄膜,、高分子,、光刻膠、硅,、PZT膜,，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）,；
• 平板顯示：TFT,、OLED、等離子顯示板,、柔性顯示板等,；
• 功能性涂料：增透型、自清潔型,、電致變色型,、鏡面性光學涂層，以及高分子,、油類,、Al2O3表面鍍層和處理等；
• 生物和化學工程：有機薄膜,、LB膜,、SAM膜,、蛋白子分子層、薄膜吸附,、表面改性處理,、液體等,。
• 節(jié)能環(huán)保領域：LOW-E玻璃等,。

ESS01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數k。應用領域包括：固體（金屬,、半導體,、介質等），或液體（純凈物或混合物）,。典型應用包括：

• 玻璃新品研發(fā)和質量控制等,。

技術指標：

項目	技術指標
光譜范圍	ESS01VI：370-1700nm ESS01UI：245-1700nm
光譜分辨率（nm）	可設置
入射角度	40°-90°自動調節(jié)
準確度	δ(Psi): 0.02 ° ，δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時）
膜厚測量重復性（1）	0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率n測量重復性（1）	0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間	典型0.6s / Wavelength / Point（取決于測量模式）
光學結構	PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度）
可測量樣品**尺寸	直徑Φ200 mm
樣品方位調整	高度調節(jié)范圍：10mm
	二維俯仰調節(jié)：±4°
樣品對準	光學自準直顯微和望遠對準系統(tǒng)
軟件	•多語言界面切換
	•預設項目供快捷操作使用
	•安全的權限管理模式（管理員,、操作員）
	•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫
	•豐富的模型數據庫
選配件	自動掃描樣品臺 聚焦透鏡

注：(1)測量重復性：是指對標準樣品上同一點,、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。