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SI APD雪崩光電探測(cè)器
AD100-8 TO
圓形有源區(qū)APD芯片直徑為100μm,。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據(jù)定制要求,，兩種TO52類型可供選擇,。
產(chǎn)品特征：
APD具有0.008mm2的有效面積
100μm直徑有效面積
低偏置電壓時(shí)的高增益
快速上升時(shí)間，低電容
**增益：50-60
產(chǎn)品應(yīng)用：
激光測(cè)距儀
高速光度測(cè)定
高速光通信
用器材
****額定值：
符號(hào) | 參數(shù) | *小值 | **值 | 單位 |
TSTG | Storage temp | -55 | 125 | ℃ |
TOP | Operating temp | -40 | 100 | ℃ |
Mmax | Gain （IPO=1 nA） | -200 | ||
IPEAK | Peak DC current | 0.25 | mA |
光電參數(shù)@23℃：
符號(hào) | 特性 | 測(cè)試條件 | *小值 | 典型值 | **值 | 單位 |
有效區(qū)域 | 直徑 100 | um | ||||
有效區(qū)域 | 0.00785 | mm2 | ||||
ID | 暗電流 | M=100 | 0.05 | 0.1 | nA | |
C | 電容 | M=100 | 0.5 | pF | ||
響應(yīng) | M=100,；λ=800nm | 45 | 50 | A/W | ||
tR | 上升時(shí)間 | M=100,；λ=905nm；RL=50? | 0.18 | ns | ||
截止頻率 | -3dB | 2 | GHz | |||
VBR | 擊穿電壓 | IR=2uA | 80 | 160 | v | |
溫度系數(shù) | VBR隨時(shí)間變化 | 0.35 | 0.45 | 0.55 | V/K | |
過(guò)大噪聲因素 | M=100 | 2.2 | ||||
過(guò)大噪聲指數(shù) | M=100 | 0.2 | ||||
光譜響應(yīng)圖（M=100）：
量子效應(yīng)（23℃） 電容為反偏壓（23°C）
乘積作為偏壓（23°C,，60℃） 暗電流為偏壓（23℃,，60℃）
應(yīng)用提示：
?電流應(yīng)受到電源內(nèi)部的保護(hù)電阻或電流限制 - IC限制
?對(duì)于低光照應(yīng)用，應(yīng)使用環(huán)境光的遮擋
?對(duì)于高增益應(yīng)用,，偏置電壓應(yīng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償
?處理時(shí)請(qǐng)考慮基本的ESD保護(hù)
?使用低噪聲讀出 - IC
?有關(guān)更多問(wèn)題,，請(qǐng)參閱文檔“處理和處理說(shuō)明”
?**增益：50-60
封裝圖：
包裝尺寸：
少量：泡沫墊，盒裝（12厘米x 16.5厘米）
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