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>>SESAM可飽和吸收鏡選型指南
產品簡介
被動鎖模技術由于便于組裝,， 操作簡單等優(yōu)點,， 已被人們廣泛的應用于各類激光腔中來產生超短脈沖串。Eachwave專業(yè)提供被動鎖模器件BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM：可飽和吸收鏡（SAM） ,，可被安裝在寬譜激光腔中進行模式鎖定,。通過可飽和吸收體的損耗機制，連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調制成有規(guī)律的超短脈沖串,。
可飽和吸收體在強光下被漂白,，可以使大部分腔內能量通過可飽和吸收體到達反射鏡，并再次反射回激光腔中,；在弱光下,，表現為吸收未飽和的特性，吸收掉所有入射光,，有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉,，表現了調 Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分,，脈沖寬度在反射過程中會逐漸變窄,。
Eachwave推出的BATOP半導體可飽和吸收鏡SESAM包含一個布拉格反射鏡（Bragg-mirror）生長在基底上（如GaAs晶圓），然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上,。盡管半導體可飽和吸收鏡已經被廣泛的用于各種激光腔中進行模式鎖定,，但是SAM的應用還是要根據具體情況被精確地設計，如不同的激光器具有不同損耗,，增益譜,，腔內功率等等，可飽和吸收體的參數都需要跟這些參數相匹配,。
BATOP 是激光被動鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應商,。可飽和吸收產品集合了各式各樣的不同的器件,，包括可飽和吸收鏡(SESAM),，可飽和輸出耦合鏡(SOC),，共振可飽和吸收鏡RSAM,，可飽和噪聲抑制器SANOS,，和用于透過應用的可飽和吸收體(SA)。迄今為止,，可飽和吸收產品已經覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長范圍,；封裝形式多樣，可適用于不同激光系統(tǒng)結構,。
半導體可飽和吸收鏡SESAM產品
Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm
Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm
Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm |1100 nm
Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm |1300 nm
Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm
Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm| 1645 nm
Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm
查看當前SESAM型號：SESAM半導體可飽和吸收鏡 德國BATOP官網鏈接
半導體可飽和吸收鏡的不同封裝形式
規(guī)格型號： | 描述 |
SAM-λ-A-τ-x | λ=波長,，A=吸收率，τ=弛豫時間,，x=封裝形式 |
x =4.0-0 | •裸芯片,，芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm |
x = 1.0b-0 | •一盒，4個裸芯片,，芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm |
x = 1.3b-0 | •一盒,，4個裸芯片，芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm |
x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,，粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7g-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7g-e |
x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,，焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-12.7s-c •邊緣安裝：x = 4.0-12.7s-e |
x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0g-e |
x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,，焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.0s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0s-e |
x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,，粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4g-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4g-e |
x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底 •中心安裝：x = 4.0-25.4s-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.4s-e |
x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm,，焊接在水冷銅散熱片上,，直徑25.0 mm •中心安裝：x = 4.0-25.0w-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0w-e |
x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e | •芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ，薄膜焊接在水冷銅散熱器上,，直徑25.0 mm,，適用于高功率應用。 •中心安裝：x = 4.0-25.0h-c •邊緣安裝：x = 4.0-25.0h-e |
x = FC/PC或者 FC/APC | •安裝在1米長的單模光纖上,。 •可用光纖：HI 980,，HI 1060，Panda SM98-PS-U25A •FC / PC接頭：x = FC / PC •FC / APC接頭：x = FC / APC |
訂購示例 | SAM-1064-2-1ps-4.0-0,，SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060 |
附件： | |
FM-1.3 | 1.3芯片專用散熱底座 |
PHS | 光纖耦合封裝專用散熱底座 |
>>裸片SAM
| 標準 | 可選項 | |
| GaAs芯片尺寸 | 4mm×4mm | 其他尺寸可選 |
| 芯片厚度 | 400um | 150um |
| 芯片背面 | 原切/磨砂 | 拋光可選 |
| SESAM正面鍍保護電解質膜 | ||
>>光纖耦合封裝半導體可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸：1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm
• 芯片厚度：450 μm
• 芯片背面 ：原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質膜
>> 光纖封裝可飽和吸收鏡SAM,，帶散熱底座
• SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸，利用這個封裝,，可以在一臺激光器上就實現測試多個SAM性能的目的,。
• 當SAM表面有不幸損傷，可以輕松換芯片,，所以再次實驗可以用同樣的的SAM芯片,。
>>帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 450 μm 150um可選
• 芯片背面 原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質膜
• SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上
>>帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 ：450 μm
• 芯片背面：原切/磨砂
• SESAM芯片正面鍍保護電解質膜
• SESAM 鍍金的Cu底座上，并帶有水冷裝置
>>帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM
• GaAs 芯片尺寸： 4 mm x 4 mm
• 芯片厚度 ：450 μm
• SAM芯片用膠粘在一個單模光纖一端,，光纖接頭FC/APC,，其他接頭類型可選
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