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SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡Batop
SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡Batop

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品牌

產(chǎn)地

德國(guó)

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暫無(wú)
上海屹持光電技術(shù)有限公司

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SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡Batop

>>可飽和吸收鏡是如何工作的?

>>SESAM可飽和吸收鏡選型指南

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

被動(dòng)鎖模技術(shù)由于便于組裝,, 操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn), 已被人們廣泛的應(yīng)用于各類激光腔中來(lái)產(chǎn)生超短脈沖串,。Eachwave專業(yè)提供被動(dòng)鎖模器件BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM:可飽和吸收鏡(SAM) ,可被安裝在寬譜激光腔中進(jìn)行模式鎖定,。通過(guò)可飽和吸收體的損耗機(jī)制,,連續(xù)激光器中雜亂的多脈沖可以被調(diào)制成有規(guī)律的超短脈沖串,。

可飽和吸收體在強(qiáng)光下被漂白,可以使大部分腔內(nèi)能量通過(guò)可飽和吸收體到達(dá)反射鏡,并再次反射回激光腔中,;在弱光下,表現(xiàn)為吸收未飽和的特性,,吸收掉所有入射光,,有效的把這部分弱光從激光腔中去除掉,,表現(xiàn)了調(diào) Q 鎖模的抑制作用。而且由于吸收掉了脈沖前沿部分,,脈沖寬度在反射過(guò)程中會(huì)逐漸變窄。

Eachwave推出的BATOP半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM包含一個(gè)布拉格反射鏡(Bragg-mirror)生長(zhǎng)在基底上(如GaAs晶圓),,然后可飽和吸收層做在布拉格反射鏡上,。盡管半導(dǎo)體可飽和吸收鏡已經(jīng)被廣泛的用于各種激光腔中進(jìn)行模式鎖定,,但是SAM的應(yīng)用還是要根據(jù)具體情況被精確地設(shè)計(jì),如不同的激光器具有不同損耗,,增益譜,,腔內(nèi)功率等等,,可飽和吸收體的參數(shù)都需要跟這些參數(shù)相匹配。

BATOP 是激光被動(dòng)鎖模器件-可飽和吸收體的專業(yè)供應(yīng)商,。可飽和吸收產(chǎn)品集合了各式各樣的不同的器件,,包括可飽和吸收鏡(SESAM)可飽和輸出耦合鏡(SOC),,共振可飽和吸收鏡RSAM,,可飽和噪聲抑制器SANOS,,和用于透過(guò)應(yīng)用的飽和吸收體(SA)。迄今為止,,可飽和吸收產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了800nm到2.6μm的常用激光波長(zhǎng)范圍,;封裝形式多樣,可適用于不同激光系統(tǒng)結(jié)構(gòu),。

半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SESAM產(chǎn)品

Wavelength region 790 nm ... 830 nm: 800 nm

Wavelength region 910 nm ... 990 nm: 940 nm | 980 nm

Wavelength region 1020 nm ... 1150 nm: 1040 nm | 1064 nm |1100 nm

Wavelength region 1110 nm ... 1320 nm: 1150 nm |1300 nm

Wavelength region 1320 nm ... 1460 nm: 1340 nm | 1420 nm

Wavelength region 1470 nm ... 1660 nm: 1510 nm | 1550 nm| 1645 nm

Wavelength region 1900 nm ... 3200 nm: 2000 nm | 2150 nm | 2400 nm | 3000 nm

查看當(dāng)前SESAM型號(hào):SESAM半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 德國(guó)BATOP官網(wǎng)鏈接

半導(dǎo)體可飽和吸收鏡的不同封裝形式

規(guī)格型號(hào):

描述

SAM-λ-A-τ-x

λ=波長(zhǎng),,A=吸收率,τ=弛豫時(shí)間,,x=封裝形式

x =4.0-0

裸芯片,芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm

x = 1.0b-0

•一盒,,4個(gè)裸芯片,,芯片尺寸1.0 mm x 1.0 mm

x = 1.3b-0

•一盒,,4個(gè)裸芯片,芯片尺寸1.3mm x 1.3 mm

x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,,粘合在直徑12.7 mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-12.7g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-12.7g-e

x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑12.7 mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-12.7s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-12.7s-e

x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,,粘合在直徑25.0mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.0g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0g-e

x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,,焊接在直徑25.0mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.0s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0s-e

x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,,粘合在直徑25.4mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.4g-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.4g-e

x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,焊接在直徑25.4mm的銅散熱基底

•中心安裝:x = 4.0-25.4s-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.4s-e

x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm,,焊接在水冷銅散熱片上,直徑25.0 mm

•中心安裝:x = 4.0-25.0w-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0w-e

x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e

•芯片尺寸4.0 mm x 4.0 mm ,,薄膜焊接在水冷銅散熱器上,直徑25.0 mm,,適用于高功率應(yīng)用,。

•中心安裝:x = 4.0-25.0h-c

•邊緣安裝:x = 4.0-25.0h-e

x = FC/PC或者 FC/APC

•安裝在1米長(zhǎng)的單模光纖上,。

•可用光纖:HI 980HI 1060,,Panda SM98-PS-U25A

FC / PC接頭:x = FC / PC

FC / APC接頭:x = FC / APC

訂購(gòu)示例

SAM-1064-2-1ps-4.0-0,,SAM-1064-2-1ps-FC/PC- HI1060

附件:

FM-1.3

1.3芯片專用散熱底座

PHS

光纖耦合封裝專用散熱底座

>>裸片SAM

標(biāo)準(zhǔn)可選項(xiàng)
GaAs芯片尺寸4mm×4mm其他尺寸可選
芯片厚度400um150um
芯片背面原切/磨砂拋光可選
SESAM正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜

>>光纖耦合封裝半導(dǎo)體可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸:1 mm x 1 mm 或1.3 mm x 1.3 mm

芯片厚度:450 μm

芯片背面 :原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜

>> 光纖封裝可飽和吸收鏡SAM,,帶散熱底座

SAM與FC/PC接口的光纖頭之間的鏈接可以輕松拆卸,利用這個(gè)封裝,,可以在一臺(tái)激光器上就實(shí)現(xiàn)測(cè)試多個(gè)SAM性能的目的,。

當(dāng)SAM表面有不幸損傷,可以輕松換芯片,,所以再次實(shí)驗(yàn)可以用同樣的的SAM芯片。

>>帶有散熱底座的自由空間可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸 4 mm x 4 mm

芯片厚度 450 μm 150um可選

芯片背面 原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜

SESAM 固定在半英寸/一英寸的Cu底座上

>>帶有水冷封裝的可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度 :450 μm

芯片背面:原切/磨砂

SESAM芯片正面鍍保護(hù)電解質(zhì)膜

SESAM 鍍金的Cu底座上,,并帶有水冷裝置

>>帶有光纖封裝的可飽和吸收鏡SAM

GaAs 芯片尺寸: 4 mm x 4 mm

芯片厚度 :450 μm

SAM芯片用膠粘在一個(gè)單模光纖一端,,光纖接頭FC/APC,,其他接頭類型可選

更多可飽和吸收體產(chǎn)品

>>半導(dǎo)體可飽和吸收鏡 SESAM

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>>透射型可飽和吸收體 SA

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