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產(chǎn)品特點(diǎn)簡介：

歐洲Technoorg Linda公司出品的IV3及IV4離子減薄儀,，為**的TEM（透射電鏡）,、XTEM（剖面、橫截面透射顯微鏡）及FIB（聚焦離子束）樣品制備設(shè)備之一,，適用于帶有特殊制備要求的材料的高質(zhì)量樣品制備,。該離子減薄儀的設(shè)計(jì)允許自由變換離子源參數(shù)，以及提供多種離子源組合,。特定配置的減薄儀可在同一個(gè)腔室中進(jìn)行快速離子減薄及*終拋光,，無需移動(dòng)樣品。我們提供的離子減薄儀,，可讓用戶開展新材料和樣品制備新方法研究及對(duì)樣品制備過程進(jìn)行完全控制,。

注：常規(guī)的離子減薄儀離子源能量較大，易破壞樣品的微觀結(jié)構(gòu),，而且很難看到材料真實(shí)的自然狀態(tài)下的納米結(jié)構(gòu),；因此，采用低能離子源,，在有效避免樣品的微觀結(jié)構(gòu)被損傷的基礎(chǔ)上,，大大提高了電鏡圖片的清晰度，進(jìn)而可以更為清楚的將材料自然狀態(tài)下的微觀結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出來,。

技術(shù)參數(shù)：

主要技術(shù)參數(shù)：

離子能量：0.1~10keV

離子束減薄樣品角度：0~90度

樣品**減薄速率：350um/h

超大TEM樣品薄區(qū)面積：>100um*100um

注：上述主要參數(shù)隨儀器的配置變化而有所不同

主要特點(diǎn)：

主要特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：

● 離子源具有多種組合方案： IV3和IV4基本配置采用兩個(gè)獨(dú)立水冷并分別控制的高能離子源（操作范圍：2 to 10 keV）,。離子槍槍座的獨(dú)特設(shè)計(jì)使得在真空中機(jī)動(dòng)運(yùn)用離子槍成為可能，并且可從0到90度范圍內(nèi)設(shè)置任意減薄角度,，提供了**限度的靈活性及排除離子束減薄中的低角度陰影的可能性,。IV3和IV4中的雙束調(diào)制系統(tǒng)可在樣品兩側(cè)以不同的加速電壓同時(shí)進(jìn)行減薄,。

在旋轉(zhuǎn)到1/2時(shí),，離子束調(diào)制關(guān)閉束流，或者來回?cái)[動(dòng)機(jī)構(gòu)來減少熱敏樣品的溫度,。離子束視場調(diào)整是由鈦樣品托的熒光特性來輔助實(shí)現(xiàn),。在IV3及IV4基本配置中的離子源是水冷的TELETWIN離子槍，用Ar離子,，在2–10 keV能量范圍內(nèi)工作,。可選用一個(gè)聚焦高能離子槍（2 to 10 keV）來替代,，以達(dá)到高減薄速率（>350 μm/h）,；或選用一個(gè)低能熱陰極聚焦離子槍（100 to 2000 eV）,，它能確保清潔的樣品表面沒有無定形現(xiàn)象。對(duì)IV3和IV4,，都可組合不同的離子源,。

● 當(dāng)一個(gè)離子源選用高能離子源另一個(gè)離子源選用低能熱陰極聚焦離子槍時(shí)，可實(shí)現(xiàn)在同一設(shè)備中既有高減薄速率又有終拋光性能

● 獨(dú)特的減速場操作：減速場運(yùn)行方式為IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)特點(diǎn),，這種擴(kuò)展功能可消除優(yōu)先濺射及低角度轟擊時(shí)的離子陰影,。減速場在0到2.5keV范圍時(shí)，入射離子束被彎曲掃過樣品表面,。這種方法也消除了由于切線入射而產(chǎn)生的優(yōu)先刻蝕,。

● 可選反應(yīng)離子減薄、液氮冷臺(tái)及離子束斜坡切割：IV3及IV4中可選幾種其它附件,，以便拓展我們的離子減薄儀中制備的材料范圍,。化學(xué)輔助反應(yīng)離子轟擊大幅減少了常規(guī)濺射,。在化合物半導(dǎo)體如GaAs中,，氬離子減薄會(huì)導(dǎo)致形成合成產(chǎn)物。IV3和IV4采用碘作為化學(xué)活性離子,，用于無合成產(chǎn)物的樣品制備,。IV3及IV4的標(biāo)準(zhǔn)樣品托可選配液氮冷卻裝置，這樣可減少在低角度離子轟擊期間對(duì)樣品的過熱現(xiàn)象,。因而,，對(duì)熱敏材料制備時(shí)，不會(huì)影響其內(nèi)部結(jié)構(gòu),。帶有可選Hauffe（豪費(fèi)）樣品托的IV3及IV4在SEM應(yīng)用時(shí),，也可進(jìn)行離子束斜坡切割。在離子減薄儀中能切割厚達(dá)5mm的樣品,。

● 樣品交換：IV4中配有氣鎖樣品交換系統(tǒng),，可保證清潔的減薄環(huán)境，減少樣品污染及支持快速制樣的應(yīng)用

● 超大薄區(qū)：IV3和IV4的獨(dú)特設(shè)計(jì)可制備超大（> 100 μm2）的TEM可穿透薄區(qū)面積