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涂層應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Coating Stress tester,，薄膜應(yīng)力測(cè)試儀）采用非接觸MOS激光技術(shù),；不但可以準(zhǔn)確的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力,、曲率成像分析,；并且這種設(shè)計(jì)可以保證所有陣列的激光光點(diǎn)一直在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率,；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套,，Stanford University,，Johns Hopkins University，Brown University 2套,，Karlsruhe Research Center,，Max Planck Institute，西安交通大學(xué),，中國(guó)計(jì)量科學(xué)研究院等）,、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.,，Seagate Research Center,，Phillips Semiconductor，NEC,，Nissan ARC,，Nichia Glass Corporation）等所采用；

相關(guān)產(chǎn)品：

*實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀（kSA MOS Film Stress Tester）：同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE,， MOCVD， sputtering,， PLD,， PECVD， and annealing chambers ects）,，對(duì)于薄膜生長(zhǎng)過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實(shí)時(shí)原位測(cè)量和二維成像分析,；

*薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)（kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester）

技術(shù)參數(shù)：

kSA MOS Film Stress Tester， kSA MOS Film Stress Measurement System,，kSA MOS Film Stress Mapping System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：300mm (XY)（可選）,；

2.XY雙向掃描速度：可達(dá)20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)分辨率：2 μm ,；4.樣品holder兼容：50mm,， 75mm,， 100mm， 150mm,， 200mm,， and 300mm直徑樣品；

5.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域,、多點(diǎn)線性掃描,、全面積掃描；

6.成像功能：樣品表面2D曲率,、應(yīng)力成像,，及3D成像分析；

7.測(cè)量功能：曲率,、曲率半徑,、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力,、Bow和翹曲等,；

主要特點(diǎn)：

1.程序化控制掃描模式：?jiǎn)吸c(diǎn)掃描、選定區(qū)域,、多點(diǎn)線性掃描,、全面積掃描；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像,，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析,；

3.測(cè)量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲,、曲率半徑等,；

4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測(cè)量功能，溫度范圍-65C to 1000C,；

5.薄膜殘余應(yīng)力測(cè)量,；