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全球先進(jìn)的原位薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng),，又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀,！MOS美國(guó)**技術(shù)（**號(hào)US 7，391,，523 B1）,！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！
采用非接觸激光MOS技術(shù),；不但可以準(zhǔn)確的對(duì)樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析,，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析,；客戶(hù)可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測(cè)量,；并且這種設(shè)計(jì)可以保證所有陣列的激光光點(diǎn)一直在同一頻率運(yùn)動(dòng)或掃描，從而有效的避免了外界振動(dòng)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響,；同時(shí)大大提高了測(cè)試的分辨率,；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；
該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套,，Stanford University,，Johns Hopkins University，Brown University 2套,，Karlsruhe Research Center,，Max Planck Institute，西安交通大學(xué),，中國(guó)計(jì)量科學(xué)院等）,、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center,，Phillips Semiconductor,，NEC，Nissan ARC,，Nichia Glass Corporation）等所采用,；
相關(guān)產(chǎn)品：
薄膜應(yīng)力儀（薄膜應(yīng)力測(cè)量?jī)x）：為獨(dú)立測(cè)量系統(tǒng),，同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù),，詳細(xì)信息請(qǐng)與我們聯(lián)系。
設(shè)備名稱(chēng)：
2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對(duì)稱(chēng)窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì),；
3.適合MOCVD,， MBE,， Sputter，PLD,、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等,；
4.薄膜應(yīng)力各向異性測(cè)試和分析功能；
5.生長(zhǎng)速率和薄膜厚度測(cè)量,；（選件）
6.光學(xué)常數(shù)n&k 測(cè)量,；（選件）
7.多基片測(cè)量功能；（選件）
8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測(cè)量功能,；（選件）
9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù),，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測(cè)試點(diǎn)；
10.專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)免除了測(cè)量受真空系統(tǒng)振動(dòng)影響,；
測(cè)試功能：
1. 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測(cè)量
2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測(cè)量
3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測(cè)量
4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長(zhǎng)全過(guò)程應(yīng)力監(jiān)控等
實(shí)時(shí)原位測(cè)量功能實(shí)例：曲率,、曲率半徑、薄膜應(yīng)力,、應(yīng)力—薄膜厚度曲線,、多層薄膜應(yīng)力測(cè)量分析等；
暫無(wú)數(shù)據(jù),！
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