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儀器簡介：

薄膜熱應(yīng)力測量系統(tǒng)（薄膜應(yīng)力儀，薄膜應(yīng)力計,，薄膜應(yīng)力測試儀）,，測量光學(xué)設(shè)計MOS傳感器榮獲美國**（**號US 7，391,，523 B1）,！同時kSA公司榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！

該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套,，Stanford University,，Johns Hopkins University，Brown University 2套,，Karlsruhe Research Center,，Max Planck Institute，西安交通大學(xué),，中國計量科學(xué)研究院,，中科院微系統(tǒng)研究所，上海光機所等）,、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.,，Seagate Research Center，Phillips Semiconductor,，NEC,，Nissan ARC，Nichia Glass Corporation）等所采用,；

同類設(shè)備：

薄膜應(yīng)力測試儀（薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng),，薄膜應(yīng)力計）；

薄膜殘余應(yīng)力測試儀；

實時原位薄膜應(yīng)力儀,；

技術(shù)參數(shù)：

Film Stress Tester,， Film Stress Measurement System，F(xiàn)ilm Stress Mapping System;

1.變溫設(shè)計：采用真空和低壓氣體保護,，溫度范圍RT~1000°C,；

2.曲率分辨率：100km；

3.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：up to 300mm（可選）,；

4.XY雙向掃描速度：可達20mm/s,；

5.XY雙向掃描平臺掃描步進分辨率：2 μm ；

6.樣品holder兼容：50mm,， 75mm,， 100mm， 150mm,， 200mm,， and 300mm直徑樣品；

7.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域,、多點線性掃描,、全面積掃描；

8.成像功能：樣品表面2D曲率,、應(yīng)力成像,，及3D成像分析；

9.測量功能：曲率,、曲率半徑,、應(yīng)力強度、應(yīng)力,、Bow和翹曲等,；

10.溫度均勻度：優(yōu)于±2攝氏度；

主要特點： 1.**技術(shù)：MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）,；

2.變溫設(shè)計：采用真空和低壓氣體保護,，溫度范圍RT~1000°C；

3.樣品快速熱處理功能,；

4.樣品快速冷卻處理功能,；

5.溫度閉環(huán)控制功能,，保證優(yōu)異的溫度均勻性和精度;

6.實時應(yīng)力VS.溫度曲線,；

7.實時曲率VS.溫度曲線；

8.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域,、多點線性掃描,、全面積掃描；

9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析,；

10.測量功能：曲率,、曲率半徑、薄膜應(yīng)力,、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等,；

11.氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統(tǒng),；

實際應(yīng)用：