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Intense**的QWI技術可以增大半導體激光器的量子阱能帶隙,，可在同一腔內產生有源區(qū)和無源區(qū)，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡(NAMs),，可有效地避免其他半導體激光器件常見的光學災變(COMD),，性能更可靠穩(wěn)定。產品包括：高功率可見光和近紅外半導體激光器器件和陣列,，可獨立尋址的半導體激光器陣列,。
主要特點
·量子阱混合技術、300個獨立控制發(fā)射單元
·波長808,， 830,， 980 nm，單路功率<160mW
·節(jié)約成本、高可靠性
·應用包括直接打印,、激光打標系統(tǒng)
暫無數(shù)據(jù),！
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