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INSTEMS系列為用戶提供了7種原位TEM實(shí)驗(yàn)平臺(tái),。其中包含三種單外場施加平臺(tái),三種雙外場耦合平臺(tái)和一種三外場耦合平臺(tái),。三種單外場產(chǎn)品為INSTEMS-M(力學(xué)加載),、INSTEMS-E(電學(xué)加載)和INSTEMS-T(熱場加載);三種雙外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-ME(力電耦合),、INSTEMS-TE(熱電耦合)和INSTEMS-MT(力熱耦合),;一種三外場耦合產(chǎn)品為INSTEMS-MET(力熱電耦合),。
產(chǎn)品介紹:
BST-INSTEMS-M使用的MEMS集合精密的芯片結(jié)構(gòu)與壓電驅(qū)動(dòng)器,力學(xué)加載方向與雙傾臺(tái)平面平行,。高精度力學(xué)驅(qū)動(dòng)(0.1nm等級驅(qū)動(dòng))與雙傾系統(tǒng)互不干擾,,能在力學(xué)加載的同時(shí)穩(wěn)定的觀察高質(zhì)量原子尺寸的像。另外,,可根據(jù)客戶需求配置不同結(jié)構(gòu)的芯片,,滿足不同尺寸形狀不同加載模式力學(xué)實(shí)驗(yàn)要求。
突出優(yōu)勢:
1,、多種力學(xué)加載模式:
拉伸/壓縮/壓痕/彎曲/沖擊/蠕變/疲勞
自動(dòng)/手動(dòng)/循環(huán)加載
牛頓級驅(qū)動(dòng)器(> 100 mN)
pm級驅(qū)動(dòng)控制
2,、雙軸傾轉(zhuǎn):
α 軸傾轉(zhuǎn)**至±20°
β 軸傾轉(zhuǎn)**至±10°
3、穩(wěn)定的原子尺度成像:
極限樣品漂移<50 pm/s
空間分辨率≤0.1 nm
技術(shù)指標(biāo)
**驅(qū)動(dòng)力 | > 100 mN |
**驅(qū)動(dòng)范圍 | 4 μm |
驅(qū)動(dòng)精度 | < 500 pm |
空間分辨率 | ≤0.1 nm |
應(yīng)用領(lǐng)域
高強(qiáng)鋼
納米線
高強(qiáng)鋁合金
鈦合金
納米薄膜
……
暫無數(shù)據(jù),!