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蘇州晶格電子有限公司

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M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格

M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格
  • 品牌:晶格電子
  • 產(chǎn)地:江蘇蘇州
  • 關(guān)注度:4922
  • 型號(hào):M-3
  • 報(bào)價(jià):3200元
  • 信息完整度:
核心參數(shù)
  • 探測(cè)器:無(wú)
  • 加速電壓:勻速
  • 電子槍?zhuān)?span>無(wú)
  • 電子光學(xué)放大:無(wú)
  • 光學(xué)放大:無(wú)
  • 通道數(shù):無(wú)
  • 誤差率:0.5%
  • 波長(zhǎng)準(zhǔn)確度:無(wú)
  • 靈敏度:
  • 分辨率:0.5%
  • 重現(xiàn)性:
  • 儀器原理:電阻式計(jì)數(shù)
  • 分散方式:無(wú)
  • 測(cè)量時(shí)間:1年
  • 測(cè)量范圍:0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm
產(chǎn)品介紹

,、結(jié)構(gòu)特征

圖片1.jpg M3手持式四探針測(cè)試儀主機(jī)          配ST2253-F01鎢針探頭測(cè)試硅片                  配ST2558B-F01薄膜探頭測(cè)試ITO膜

 

二、概述

2.1基本功能和依據(jù)標(biāo)準(zhǔn):

  M3手持式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用四探針測(cè)量原理測(cè)試材料電阻率/方塊電阻的多用途,、高性?xún)r(jià)比測(cè)量?jī)x器,。

該儀器設(shè)計(jì)符合GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測(cè)定方法》、GB/T 1552-1995《硅,、鍺單晶電阻率測(cè)定直流四探針?lè)ā返葒?guó)標(biāo)并參考美國(guó) A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn),。

    2.2配套組成:標(biāo)準(zhǔn)配置由M-3型主機(jī)、選配的四探針探頭等二部分組成,,也可加配測(cè)試臺(tái)當(dāng)臺(tái)式機(jī)使用,。

2.3優(yōu)勢(shì)特征:

1美觀適用:彩色流線(xiàn)型手持式面板,、帶防滑墊,符合人體工程學(xué)設(shè)計(jì),。適合手持式變動(dòng)場(chǎng)合操作使用,,也可以定制小型旅行手提箱包裝,便于野外或旅行使用,。

2高精度:帶完善厚度,、形狀修正功能,測(cè)試準(zhǔn)確,。同行中手持式多為簡(jiǎn)易程序,,沒(méi)有完整修正功能,無(wú)法修正誤差,。

3寬量程:超寬五個(gè)檔位,,相當(dāng)于中檔臺(tái)式機(jī)的量程,同行中手持式多為兩到三個(gè)檔位,,測(cè)試范圍有限,,適應(yīng)性不廣。

4操作簡(jiǎn)便,、性能穩(wěn)定:輕觸數(shù)字化鍵盤(pán)實(shí)現(xiàn)參數(shù)設(shè)定,、功能轉(zhuǎn)換,簡(jiǎn)便而且免除模擬定位器的不穩(wěn)定易受干擾,。

5手動(dòng)/自動(dòng)一體化:

6顯示方式美觀清晰:由高亮綠色數(shù)碼和LED數(shù)字表頭顯示,,不怕環(huán)境背景暗或野外強(qiáng)光;

7待機(jī)和工作時(shí)間長(zhǎng)(不小于兩天),,有大容量可充電鋰電池電池供電,,環(huán)保耐用。

2.4探頭選配:根據(jù)不同材料特性需要,,探頭可有多款選配,。詳情見(jiàn)《四探針探頭型號(hào)規(guī)格特征選型參照表》

1配高耐磨的碳化鎢探針探頭,如ST2253-F01型,,以測(cè)試硅等半導(dǎo)體,、金屬、導(dǎo)電塑料類(lèi)等硬質(zhì)材料的電阻率/方阻,;

2配不傷膜的球形或平頭鍍金銅合金探針探頭,,如ST2558B-F01型,可測(cè)金屬箔,、碳紙等導(dǎo)電薄膜,,也可測(cè)陶瓷、玻璃或PE膜等基底上導(dǎo)電涂層膜,如金屬鍍膜,、噴涂膜、ITO膜,、電容卷積膜等材料的薄膜涂層電阻率/方阻,。

3配專(zhuān)用箔上涂層探頭,如ST2558B-F02型,,也可測(cè)試鋰電池電池極片等箔上涂層電阻率/方阻,。

4換上四端子測(cè)試夾具,還可對(duì)電阻器的體電阻進(jìn)行測(cè)量,。

2.5測(cè)試臺(tái)選配:根據(jù)不同材料特性需要,,測(cè)試臺(tái)可有多款選配。詳情見(jiàn)《四探針測(cè)試臺(tái)型號(hào)規(guī)格特征選型參照表

四探針?lè)y(cè)試固體或薄膜材料選配SZT-A型或SZT-B型(電動(dòng))或SZT-C型(快速恒壓)測(cè)試臺(tái),。

二探針?lè)y(cè)試細(xì)長(zhǎng)棒類(lèi)材料選配SZT-K型測(cè)試臺(tái).

平行四刀法測(cè)試橡塑材料配SZT-G型測(cè)試臺(tái),。

2.6適用范圍:手持式使用,儀器適用于半導(dǎo)體材料廠器件廠,、科研單位,、高等院校四探針?lè)▽?duì)導(dǎo)體、半導(dǎo)體,、類(lèi)半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能的測(cè)試,。 

三,、基本技術(shù)參數(shù)

1.測(cè)量范圍,、分辨率

電    阻:     0.010Ω~ 50.00kΩ,     分辨率0.001Ω~ 10 Ω

電 阻 率:     0.010Ω-cm~ 20.00kΩ-cm, 分辨率0.001Ω~ 10 Ω-cm

方塊電阻:     0.050Ω/□ ~ 100.00kΩ/□   分辨率0.001Ω~ 10 Ω/□

2.可測(cè)材料尺寸

手持方式不限材料尺寸,,但加配測(cè)試臺(tái)則由選配測(cè)試臺(tái)決定如下:

直    徑:SZT-A圓測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 Φ15~130mm,。

SZT-C方測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式180mm×180mm。

長(zhǎng)(高)度:測(cè)試臺(tái)直接測(cè)試方式 H≤100mm,。.

測(cè)量方位: 軸向,、徑向均可.

 

3.量程劃分及誤差等級(jí)(括號(hào)內(nèi)為拓展量程)

量程(Ω-cm/□)

2.000

(200.0m)

20.00

(2.000m)

200.0

(20.00)

2.000k

(200.0)

20.00k

(2.000k)

電阻測(cè)試范圍

0.010~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~50.00k

電阻率/方阻

0.010/0.050~2.200

2.000~22.00

20.00~220.0

0.200~2.200k

2.000~20.00k/100.0k

基本誤差

±1%FSB±2LSB

±2%FSB±2LSB

4)充電器工作電源:220V±10%, f=50Hz±4%,PW≤5W,或電池供電DC3.7V.

5)外形尺寸:W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈   重:≤0.3kg

注:該儀器未取得中華人民共和國(guó)醫(yī)療器械注冊(cè)證,,不可用于臨床診斷或治療等相關(guān)用途


聯(lián)系人:王經(jīng)理

聯(lián)系電話(huà):13656 225155

微信:13656 225155

客服經(jīng)理-王娟.jpg

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  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格的工作原理介紹,?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格的使用方法?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格多少錢(qián)一臺(tái),?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格使用的注意事項(xiàng)
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格的說(shuō)明書(shū)有嗎,?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格的操作規(guī)程有嗎?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格的報(bào)價(jià)含票含運(yùn)費(fèi)嗎,?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格有現(xiàn)貨嗎,?
  • M-3方塊電阻儀ITO膜方阻儀晶格包安裝嗎?

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蘇州晶格電子有限公司是一家集研發(fā)、生產(chǎn),、經(jīng)銷(xiāo):電子測(cè)量?jī)x器儀表的專(zhuān)業(yè)高新技術(shù)企業(yè),。主營(yíng)產(chǎn)品:四探針測(cè)試儀系列、粉末電阻率測(cè)試儀系列,、超高阻微電流測(cè)試儀系列,、電阻表系列、交直流電壓表電流表系列,??蓽y(cè)各形態(tài)材料的電阻率、方塊電阻,、表面電阻,、體電阻、接觸電阻,、電壓電流等參數(shù),。公司位于蘇州市吳中區(qū)新家工業(yè)園內(nèi),比鄰吳中名勝石湖,,近連蘇州環(huán)城高速與友新高架,,環(huán)境優(yōu)美交通便利。主要產(chǎn)品:公司現(xiàn)有導(dǎo)體半導(dǎo)體材料電阻率方阻測(cè)試的四探針測(cè)試儀系列,,可測(cè)固體,、粉末、ITO涂層鍍膜的電阻率

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