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復納科技云展臺搶先看！相約上海 SEMICON China 2025

復納科技 2025-03-25 | 閱讀：329

3 月 26 日 - 28 日,，SEMICON China 2025 將在上海新國際博覽中心盛大召開,。

覆蓋設備,、材料,、設計、制造,、封裝測試,、軟件和服務等微電子、集成電路產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)等產業(yè)鏈,，全球規(guī)模最大,、最具影響力的半導體專業(yè)展。來自五湖四海的專家學者、產業(yè)鏈相關企業(yè)將齊聚一堂,，共赴這場半導體嘉年華,！

本次展覽會，飛納電鏡展位號 N2-2643,，歡迎大家到現(xiàn)場交流和互動,！飛納電鏡還準備了免費抽獎互動活動，100% 中獎,！歡迎蒞臨展臺交流,！

SEMICON CHINA 2025

會議時間：2025年3月26日-28日

會議地點：上海新國際博覽中心

展位號：N2-2643

SEMICON 2025 官方觀眾注冊通道

復納科技云展臺搶先看

復納科技在電子半導體領域，從微納表征和樣品制備,、FIB 樣品精修、到微納制造,，具有豐富的產品線,，飛納電鏡 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機、飛納清潔度檢測系統(tǒng) ParticleX,，飛納場發(fā)射掃描電鏡,、表面拋光 / 截面切削制樣設備-氬離子研磨儀、臺式納米 CT 等,，可以滿足多樣化的材料檢測需求以及復雜的制程工藝管控,，實現(xiàn)缺陷和形貌觀察以及物性失效分析。

識別下方二維碼進入復納科技云展臺,，查看復納科技半導體行業(yè)綜合解決方案,。

Part.1飛納臺式掃描電鏡

01 AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機

Phenom AFM-SEM 原子力掃描電鏡一體機能夠提供多種測量模式，包括機械性能,、相關性分析,、磁性能、電機械性能和電性能等,，覆蓋了從亞納米級地形測量到局部彈性,、硬度、磁疇成像,、壓電疇成像,、導電性映射、局部表面電勢映射以及局部電性能等多個領域,。

▌半導體材料-二硫化鉬（MoS）

02失效分析必備--飛納場發(fā)射掃描電鏡

失效分析是對于電子元器件的實效原因進行診斷,，這個過程中需要對失效位置的微觀形貌進行檢測，并進行成分分析,。電子元器件的失效原因多樣,，比如內部存在雜質、介在物、孔洞,、腐蝕,、開裂等，這些都無法在后續(xù)的加工中去除,，反而容易引起造成更嚴重的破壞,。因此，需要借助掃描電鏡,，進行快速判斷失效原因,，具有非常重要的意義。

飛納臺式掃描電鏡分辨率優(yōu)于 1.0nm,，15s 抽真空,，30s 超快成像，可以快速過濾樣品,，確認分析位置和樣品前處理的狀況,。具有專利防震技術，可以放置在 FA 實驗室,、高樓層辦公或者產線旁,。為您提供高效、簡單,、精確的半導體解決方案,，幫助您提升工藝良率。

Part.2 掃描電鏡制樣-離子研磨儀

對于電子元器件進行失效分析時,，對內部的孔洞,、雜質等進行微觀結構觀察和分析時，需要借助離子研磨儀切割的方法,，選擇合適的能量離子槍,，利于離子束進行剖面的切削或表面拋光處理，可以有效地解決以上問題,。

MLCC 電容失效案例：

研磨前：無法確定 MLCC 燒結實際狀況,，無法判斷失效原因離子研磨處理后：可以清晰看到 MLCC 介質層存在孔洞等

結合能譜結果發(fā)現(xiàn) MLCC 介質層還存在金屬氧化物

Part.3 FIB/TEM 制樣-離子精修儀

半導體行業(yè)需要使用透射電鏡（TEM）從原子尺度研究結構、元素,、價態(tài),、形貌對器件最終性能的影響。借助聚焦離子術（FIB）,，工作人員可以制備器件某區(qū)域的薄片樣品,，用于 TEM 觀察分析。但是,，F(xiàn)IB 制樣過程中鎵離子的注入以及所產生的非晶層,，卻像一層難以驅散的迷霧,，阻礙著人們獲得更高質量的微觀成像和譜學分析結果。

Gentle Mill 離子精修儀配備專利設計的低能氬離子槍（100 - 2000 eV,，連續(xù)可調）,，可在比 FIB 更低的電壓下精修樣品，從而大幅減少損傷層厚度,，直至 1nm 以下,。該方法可對 FIB 樣品 / TEM 樣品進行表面減薄、表面后處理,、去除非晶層和氧化層,，實現(xiàn)對樣品的表面清潔和最終精修，展現(xiàn)樣品原始形貌結構,，是改善 FIB 樣品的一種有效手段,。此外，該設備還可以部分去除 TEM 觀察時在樣品表面產生的碳沉積,，從而可以實現(xiàn)多次利用寶貴的 FIB 樣品的可能,。

左圖為原始 FIB (30kV) 處理薄片；右圖為經過 Gentle Mill (300 eV) 處理的薄片,。Si-SiGe 多層異質結構樣品兩側均使用 Gentle Mill 處理 2 分鐘,，以去除 FIB 薄片制備產生的非晶層,。在 FIB 薄片的邊緣處可以看到非晶層厚度明顯減少,。

Part.4 NEOSCAN 臺式顯微 CT

顯微 CT 以其高分辨、非破壞和三維成像的能力,，被廣泛應用于電子元器件領域,。在不影響設備完整性的前提下，可以準確識別和分析各種電子元器件,，包括微型晶體管,、電容器、電阻器等,，可以發(fā)現(xiàn)內部可能存在的缺陷,、焊接問題等，從而確保設備的品質和可靠性,。

NEOSCAN N90 以 500nm 體素尺寸掃描高級 GPU,，輕松分辨每一個TSV（通硅孔）

Part.5 VSParticle 納米研究平臺

在半導體加工中，顆粒污染是不可避免的,。部分顆粒發(fā)生器無法穩(wěn)定的產生納米級（尤其是 23nm 以下）的顆粒,，同時對于顆粒的組分限制較多，部分方法含有液體,，不利于顆粒污染的去除,。

VSParticle-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)能夠實現(xiàn)無機納米結構材料的打印直寫。印刷涂層的顆粒由火花燒蝕技術產生，氣溶膠顆粒典型粒徑在 20nm 以下,，且不含表面活性劑或任何其他有機添加物質,。借助 VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)沖壓沉積模式，可以在晶圓選定區(qū)域沉積圖案或顆粒,。同時搭載的納米粒子發(fā)生器可通過二次粒徑篩選,，并沉積到選定區(qū)域，選定粒徑的顆?？梢赃M行納米顆粒污染導致的失效模擬,，或研究指定區(qū)域的顆粒清除效果。

顆粒輸出精度：±0.5nm,，1-10nm 顆?？蛇x

Part.6 DEMSsolutions 原位樣品桿

在半導體器件生產過程中，晶體生長過程,、相變結構演變,、器件性能測試、環(huán)境條件影響這幾個方面都會影響到器件最終出廠后的實際性能表現(xiàn),。如何從微觀層面研究上述因素對器件結構,、性能的影響，就顯得至關重要,。

DENSsolutions 透射電鏡原位方案,，采用側插式樣品桿設計、無需對電鏡做額外改裝,、兼容市面上主流品牌透射電鏡,，從高溫、低溫,、電場,、氣氛等方面提供一系列的原位透射方案，具體性能包括：分辨率 60 pm,、最高溫度 1300 ℃,、最低溫度 -160 ℃、最大電場 300 kV/cm,、最大氣壓 2Bar,、兼容多種氣體。借助 DENSsolutions 方案,，工作人員可以在高分辨觀察的同時,，對材料、器件施加多種外場刺激,，以研究晶體生長,、結構演變,、環(huán)境條件的對器件結構、性能的影響,。