復納科學儀器(上海)有限公司
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熱電制冷器件(TEC)是利用半導體材料的帕爾貼(Peltier)效應實現(xiàn)固態(tài)制冷或加熱的一種功能器件,,因而其產(chǎn)品應用范圍廣泛,,需要精準控溫的微型化局部制冷場景,如通信領(lǐng)域光模塊中的精準控溫,。
單個熱電材料晶粒的制冷能力有限,,TEC 一般有十幾到幾十個晶粒組合而成。配合熱敏電阻,,以及控制電流方向,,TEC 既可以制冷又可以制熱,實現(xiàn)優(yōu)于 0.1℃ 的溫度控制穩(wěn)定性,。某些大功率器件,,僅憑高熱導率材料的被動散熱方式很難滿足散熱需求,必須使用 TEC 這種主動散熱方式,,才能有比較好的散熱效果,。
01 原理
帕爾貼效應是指當有電流通過不同的導體組成的回路時,除產(chǎn)生不可逆的焦耳熱外,,在不同導體的接頭處隨著電流方向的不同會分別出現(xiàn)吸熱,、放熱現(xiàn)象。這是 Jean Peltier.C.A. 帕爾帖在 1834 年發(fā)現(xiàn)的,。如果電流通過導線由導體 A 流向?qū)w B,,則在單位時間內(nèi),,導體 A 處單位面積吸收的熱量與通過導體 A 處的電流密度成正比,。
簡單可以理解為:外加電場作用下,電子發(fā)生定向運動,,將一部分內(nèi)能帶到電場另一端,。
這個現(xiàn)象直到近代隨著半導體的發(fā)展才有了實際的應用,也就是 [致冷器] 的發(fā)明(注意,,這時叫致冷器,,還不叫半導體致冷器)。由許多 N 型和 P 型半導體之顆?;ハ嗯帕卸?,而 NP 之間以一般的導體相連接而成一完整線路,通常是銅,、鋁或其他金屬導體,,最后由兩片陶瓷片像夾心餅干一樣夾起來,陶瓷片必須絕緣且導熱良好,。
02 技術(shù)與器件封裝工藝
為了提高材料的熱電轉(zhuǎn)換效率并提高其加工強度,,最近 10 年我國發(fā)展了粉末冶金工藝生產(chǎn)熱電材料,,主要工藝路線基于兩個方向:放電等離子體燒結(jié)技術(shù)(SPS)和熱壓燒結(jié)技術(shù)。
由于 n 型碲化鉍熱電材料內(nèi)不同晶面方向的電輸運性能和熱輸運性能差別很大,,如在面內(nèi)方向上電導率是其垂直面內(nèi)方向的 4-6 倍,,主要是面內(nèi)方向高的載流子遷移率所致,而面內(nèi)方向熱導率是其垂直方向的 2-3 倍,,所以,,采用上述 SPS 技術(shù)和熱壓燒結(jié)技術(shù)生產(chǎn)的各向同性的 n 型多晶碲化鉍熱電材料的電子遷移率非常低,導致其電熱輸運性能的不匹配,。所以,,要提高粉末冶金工藝生產(chǎn)的 n 型碲化鉍熱電材料的熱電轉(zhuǎn)換效率,具有擇優(yōu)取向超細晶結(jié)構(gòu)是提高其熱電轉(zhuǎn)換效率的重要途徑,。
使用飛納臺式掃描電鏡對器件封裝工藝進行分析,,可以檢測焊接過程中是否出現(xiàn)倒粒偏移等問題。
P型 縱向截面—SEM分析
500X(SED)
500X(BSD)
N型 縱向截面—SEM分析
300x
500x
TEC 芯片特有的三明治雙面焊接結(jié)構(gòu),,焊盤上對應的元件在焊接過程中不能出現(xiàn)任何倒粒,、偏移等問題,由于芯片內(nèi)部是由多對 p / n 元件串聯(lián)組成,,任何一個元件問題都會導致整個芯片的不良,,對焊接可靠性要求嚴格,高精度設備投入成本較高,。同時,,由于 Micro-TEC 是雙面焊接,所以必須要有上下陶瓷基板合模的動作,,同樣要求達到 10μm 的精度,,這對基板及其導電電路的精準性提出了較高的要求,對貼裝設備要求也較高,,封裝失效性分析成為必要,。
大視野拼圖封裝失效分析
飛納電鏡所見即所得,助力熱電器件開發(fā)和生產(chǎn),,為廣大客戶提供專業(yè)的技術(shù)支持和優(yōu)質(zhì)的服務,。
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