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【原創(chuàng)】玻璃基板上實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)——高密度布線


來(lái)源:中國(guó)粉體網(wǎng)   月明

[導(dǎo)讀]  玻璃基板表面的高密度布線技術(shù)是先進(jìn)封裝領(lǐng)域研究難點(diǎn),,長(zhǎng)期以來(lái)備受學(xué)界關(guān)注

中國(guó)粉體網(wǎng)訊  近年來(lái),隨著5G,、可穿戴設(shè)備,、智能手機(jī)、汽車(chē)電子,、人工智能等新興領(lǐng)域蓬勃興起,,集成電路應(yīng)用正向著多元化應(yīng)用方向發(fā)展,先進(jìn)三維封裝技術(shù)也逐漸成為實(shí)現(xiàn)電子產(chǎn)品小型化,、輕質(zhì)化,、多功能化的重要手段。玻璃通孔(TGV)互連技術(shù)具有高頻電學(xué)特性優(yōu)異,、成本低,、工藝流程簡(jiǎn)單、機(jī)械穩(wěn)定性強(qiáng)等應(yīng)用優(yōu)勢(shì),,在射頻器件,、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)封裝、光電系統(tǒng)集成等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,。

 

玻璃通孔(TGV)互連技術(shù)主要包括成孔技術(shù)、填孔技術(shù)和高密度布線,,高密度布線可以實(shí)現(xiàn)最終的電氣連接,。電子設(shè)備的小型化和便攜化是重要的發(fā)展趨勢(shì)。玻璃基板高密度布線技術(shù)可以將更多的電路功能集成在更小的玻璃基板上,,減少電子設(shè)備的體積和重量,,滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)設(shè)備小型化的要求,提高設(shè)備的便攜性和適用性,。但由于半加成工藝法在線寬小于5μm的時(shí)候會(huì)面臨許多挑戰(zhàn),,例如在窄間距內(nèi)刻蝕種子層容易對(duì)銅走線造成損傷且窄間距里的種子層殘留易造成漏電,因此針對(duì)玻璃基板的表面高密度布線,,學(xué)界也有不同工藝路線的探索,。

 

線路轉(zhuǎn)移(CTT)和光敏介質(zhì)嵌入(PTE)

 

劉富漢等開(kāi)發(fā)了CTT和PTE技術(shù)。CTT主要包括精細(xì)重布線層(RDL)線預(yù)制和將RDL集成到基板上兩個(gè)過(guò)程,。每一RDL可以在可移動(dòng)載體上單獨(dú)制造一層薄導(dǎo)電層,,并在轉(zhuǎn)移到基板上之前測(cè)試或檢查細(xì)線成品率,精細(xì)線路的形成采用細(xì)線光刻和電解鍍銅的方法,,并且以薄銅箔作為鍍層的種子層,。

 

 

線路轉(zhuǎn)移過(guò)程 來(lái)源:Liu.Advances in embedded traces for 1.5 μm RDL on 2.5D glass interposers.

 

PTE工藝首先刻蝕基板下側(cè)銅箔,,并使用真空壓膜機(jī)在基板上側(cè)壓合感光膜,采用物理氣相沉積(PVD)分別沉積Ti和Cu作為阻擋層和種子層,,接著采用電鍍工藝填充溝槽,,溝槽填充完后,使用化學(xué)腐蝕劑刻蝕掉上表面的銅從而露出線路,。


 

PTE工藝流程 來(lái)源:Liu.Advances in embedded traces for 1.5 μm RDL on 2.5D glass interposers.

 

多層RDL的2.5D玻璃轉(zhuǎn)接板技術(shù)

 

喬治亞理工學(xué)院的Lu等研究了多層RDL的2.5D玻璃轉(zhuǎn)接板技術(shù),,實(shí)現(xiàn)了面板級(jí)光刻后1.5~5μm的線條溝槽制備,并提出改進(jìn)式半加成工藝法(SAP),,達(dá)到了5μm以下低成本的線寬制作工藝,。工藝流程為在第一層RDL的基礎(chǔ)上進(jìn)行壓膜,然后通過(guò)顯影制作通孔并暴露出第一層RDL的銅焊盤(pán),,接著進(jìn)行種子層濺射,。濺射完成后,將高分辨率的光刻薄膜層壓在基板上側(cè)并進(jìn)行高精度的曝光,、顯影,。完成上述步驟后,采用電鍍工藝填充通孔并用旋轉(zhuǎn)金剛刀進(jìn)行表面平坦化,,最后去除光刻薄膜并完成種子層刻蝕,。

 

 

多層RDL的工藝流程  來(lái)源:Lu.Advances in panel scalable planarization and high throughput differential seed layer etching processes for multilayer RDL at 20 micron I/O pitch for 2.5D glass interposers.

 

參考來(lái)源:

Lu.Advances in panel scalable planarization and high throughput differential seed layer etching processes for multilayer RDL at 20 micron I/O pitch for 2.5D glass interposers.

Liu.Advances in embedded traces for 1.5 μm RDL on 2.5D glass interposers.

陳力.玻璃通孔技術(shù)研究進(jìn)展

 

(中國(guó)粉體網(wǎng)編輯整理/月明)

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