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【原創(chuàng)】碳化硅,,華為投全了,!


來源:中國粉體網(wǎng)   空青

[導讀]  這些年,,華為正在全力布局SiC產(chǎn)業(yè)

中國粉體網(wǎng)訊  4月5日,據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告,,華為技術(shù)有限公司申請一項名為“擋板,、芯片、SiC晶體,、晶體生長爐和生長方法”專利,,申請公布號為CN117822097A,申請日期為2022年9月28日,。


來源:國家知識產(chǎn)權(quán)局


該專利摘要顯示,,本申請實施例公開了一種擋板、芯片,、SiC晶體,、晶體生長爐和生長方法,涉及碳化硅晶體技術(shù)領(lǐng)域,,有效改善晶體質(zhì)量。具體方案為:于晶體生長爐內(nèi)設(shè)置擋板,,該擋板的通道可改變爐體內(nèi)氣相源的運動方向,,將氣相源的運動方向改變?yōu)樾毕蛏希箽庀嘣闯蜃丫У男∶孢\動,。本申請實施例可提高晶體的生長速度,,提高晶體的厚度和質(zhì)量,降低微管密度,。另外,,選用低密度石墨作為擋板的材料,當通道被封堵后,,低密度石墨內(nèi)的孔隙可以供氣體通過,,能進一步降低晶體內(nèi)包裹物的含量,提高晶體質(zhì)量,。


這些年,,華為正在全力布局SiC產(chǎn)業(yè)


2021年9月底,華為發(fā)布了《數(shù)字能源2030》白皮書,,華為強調(diào),,未來十年是第三代功率半導體的創(chuàng)新加速期,滲透率將全面提升,。而碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈爆發(fā)的拐點臨近,,市場潛力將被充分挖掘。


可以看出,,華為自是不會放過SiC這塊“肥肉”,,這些年從電驅(qū)、充電樁,,到襯底,、外延、器件制造,,華為基本投資了一整條SiC產(chǎn)業(yè)鏈,。


SiC襯底:山東天岳和北京天科合達


天岳先進


早在2019年8月,華為旗下子公司——哈勃科技創(chuàng)業(yè)投資有限公司(哈勃投資),,就參與了天岳先進的A輪融資,。截至2022年末,哈勃投資持有上市公司股權(quán)比例為6.34%,,位列天岳先進第四大股東,。



天岳先進成立于2010年,是一家寬禁帶半導體(第三代半導體)襯底材料生產(chǎn)商,。主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導電型SiC襯底,。經(jīng)過十余年發(fā)展,公司已掌握涵蓋了設(shè)備設(shè)計,、熱場設(shè)計,、粉料合成、晶體生長,、襯底加工等環(huán)節(jié)的核心技術(shù),,自主研發(fā)了不同尺寸半絕緣型及導電型SiC襯底制備技術(shù)。2023年天岳先進采用液相法制備出了低缺陷的8英寸晶體,,通過熱場,、溶液設(shè)計和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長界面控制和缺陷控制難題,尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng),。目前,,在全球?qū)щ娦吞蓟枰r底材料市場,天岳先進超過高意躍居全球第二,。而在半絕緣型碳化硅襯底材料市場,,根據(jù)YOLE報告,截至2022年,天岳先進市場占有率連續(xù)四年保持全球前三,。


天科合達


2019年10月,,哈勃投資了北京天科合達半導體股份有限公司(簡稱:天科合達),在發(fā)行前哈勃投資為天科合達的第五大股東,,持股比例為4.82%,。


天科合達成立于2006年9月,是從事第三代半導體材料——碳化硅晶片及相關(guān)產(chǎn)品研發(fā),、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè),。公司目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司,,一家控股子公司,,產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備,、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備,。據(jù)YOLE集團發(fā)布報告,2021至2022年,,全球碳化硅襯底市場實現(xiàn)快速增長,,在2022年全球襯底市場規(guī)模達到6.92億美元。同時,,YOLE集團還對國內(nèi)碳化硅襯底的市場占有率進行評估,,認為天科合達導電襯底2022年在國內(nèi)占據(jù)60%左右的市場份額。


SiC外延:瀚天天成和天域半導體


瀚天天成


2020年12月,,哈勃突擊入股瀚天天成電子科技(廈門)股份有限公司(簡稱:瀚天天成),,現(xiàn)持股比例為4.197%。


瀚天天成成立于2011年,,是一家中美合資企業(yè),,主要從事碳化硅外延晶片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,,外延晶片月產(chǎn)能約4萬片。瀚天天成是國內(nèi)首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸,、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片批量供應(yīng)的生產(chǎn)商,,同時也是國內(nèi)少數(shù)獲得汽車質(zhì)量認證(IATF 16949)的碳化硅外延生產(chǎn)商之一。根據(jù)CASA統(tǒng)計數(shù)據(jù),,按外銷市場和自供市場全球出貨量統(tǒng)計(等效6英寸),,瀚天天成2022年全球市場占有率約為19%;按外銷市場出貨量統(tǒng)計(等效6英寸),,瀚天天成2022年全球市場占有率約為38%,。瀚天天成的6英寸碳化硅外延晶片主要為N型外延片,廣泛應(yīng)用于新能源車、光伏領(lǐng)域所需碳化硅功率器件的生產(chǎn)制造,。


目前,,瀚天天成已經(jīng)實現(xiàn)了國產(chǎn)更大尺寸,8英寸碳化硅外延片技術(shù)的突破并已經(jīng)獲得了客戶的正式訂單,。


天域半導體


2021年7月,,廣東天域半導體股份有限公司(簡稱“天域半導體”)獲得華為哈勃的天使輪融資。



天域半導體成立于2009年,,坐落在中國第三代半導體南方重鎮(zhèn)東莞,,是一家專業(yè)從事第三代半導體SiC外延晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家高新技術(shù)企業(yè),。同時,,其也是中國第一家獲得汽車質(zhì)量認證(IATF 16949) 的碳化硅半導體材料供應(yīng)鏈的企業(yè)。2012年天域半導體完成了N型外延片研發(fā),;2013年又完成P型外延片的研發(fā),,并開始向客戶供應(yīng)P型碳化硅外延片;2014年公司6英寸外延片研發(fā)成功,,正式向客戶供貨,;2018年公司新引進生產(chǎn)線調(diào)試完成,4英寸,、6英寸碳化硅外延片產(chǎn)能達到量產(chǎn)規(guī)模,。


目前,天域半導體在中國擁有最多的碳化硅外延爐-CVD,,已實現(xiàn)4,、6英寸外延片全系列產(chǎn)品的量產(chǎn),并提前布局國內(nèi)8英寸碳化硅外延片工藝線的建設(shè)及相關(guān)工藝技術(shù),,正積極突破研發(fā)8英寸SiC工藝關(guān)鍵技術(shù),。


SiC器件:東微半導體


2020年7月,華為哈勃投資了東微半導體股份有限公司(簡稱東微半導體),,華為哈勃持股4.94%,。


東微半導體成立于2008年,是一家以高性能功率器件研發(fā)與銷售為主的技術(shù)驅(qū)動型半導體企業(yè),,產(chǎn)品專注于工業(yè)及汽車相關(guān)等中大功率應(yīng)用領(lǐng)域,,是國內(nèi)少數(shù)具備從專利到量產(chǎn)完整經(jīng)驗的高性能功率器件設(shè)計公司之一,并在應(yīng)用于工業(yè)級領(lǐng)域的高壓超級結(jié)和中低壓功率器件產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了國產(chǎn)化替代,。


SiC設(shè)備:特思迪


2022年2月,,北京特思迪半導體設(shè)備有限公司(簡稱:特思迪)獲得華為哈勃投資,持股比例達到10%,。


特思迪成立于2020年,,是一家專注于半導體領(lǐng)域表面加工設(shè)備的研發(fā),、生產(chǎn)和銷售,針對半導體襯底材料,、半導體器件,、先進封裝、MEMS等領(lǐng)域,,產(chǎn)品包括減薄機,、拋光機、CMP以及貼蠟/清洗/刷洗等機器,。在2023年,,特思迪持續(xù)發(fā)力SiC襯底行業(yè)磨拋設(shè)備,不斷提升6英寸機臺的工藝指標,,并且開發(fā)8英寸碳化硅磨拋工藝和設(shè)備,。就在2023年5月,特思迪減薄-拋光-CMP設(shè)備生產(chǎn)二期項目簽約落地北京市順義區(qū),。


SiC耗材:德智新材


2021年9月,,深圳哈勃入股湖南德智新材料有限公司(簡稱“德智新材”),認繳出資額為294.39萬元,,持股比例為16.66%,。



德智新材是一家專業(yè)從事碳化硅納米鏡面涂層及陶瓷基復(fù)合材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的高新技術(shù)企業(yè),。公司致力于高制程半導體生產(chǎn)關(guān)鍵耗材的生產(chǎn),,擁有國內(nèi)領(lǐng)先的技術(shù)、設(shè)備和高水平研發(fā)團隊,,是國內(nèi)頭部的SiC涂層石墨基座,、SiC蝕刻環(huán)供應(yīng)商。2020年,,德智新材自主設(shè)計的國內(nèi)最大化學氣相沉積設(shè)備正式投入使用,,SiC涂層石墨基座順利實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,成為國內(nèi)半導體行業(yè)突破國外技術(shù)壟斷的關(guān)鍵產(chǎn)品之一,。


目前,,德智新材半導體用SiC蝕刻環(huán)項目已率先在國內(nèi)實現(xiàn)了量產(chǎn)交付。產(chǎn)能方面,,德智新材半導體用碳化硅蝕刻環(huán)項目于2022年6月完成了主體工程建設(shè),。該項目總投資約2.5億元,主要用于半導體用碳化硅蝕刻環(huán)的研發(fā),、制造,投產(chǎn)后年產(chǎn)值超1億元,。


來源:

電子發(fā)燒網(wǎng),、粉體網(wǎng)

半導體行業(yè)觀察:SiC整條產(chǎn)業(yè)鏈,,華為投全了

市值風云:華為、寧德站臺,,神秘客戶抬愛,,擴產(chǎn)如火如荼,“碳化硅第一股”天岳先進:值得擁有嗎,?


(中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青)

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作者:空青

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