中國粉體網(wǎng)訊  在半導體材料革命的浪潮中,，碳化硅（SiC）以其耐高壓,、高頻、高溫的卓越性能,，正加速滲透各個領域,。近年來，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè),，在8英寸,、12英寸取得了喜人成績，在國際市場備受認可,。

首次中國企業(yè)獲獎,！天岳先進獲半導體行業(yè)國際大獎

近日，第31屆半導體年度獎（Semiconductor of the Year 2025）頒獎典禮在日本東京隆重舉行,。中國半導體材料領域的領軍企業(yè)天岳先進憑借其在碳化硅襯底材料技術上取得的革命性突破,，力壓日本頂尖半導體材料巨頭三井化學和三菱材料等強勁對手，榮獲由日本權威半導體媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》頒發(fā)的“半導體電子材料”類金獎,。

據(jù)了解,，這不僅是中國企業(yè)在該獎項設立31年以來的首次問鼎，更是該獎項歷史上首次將最高榮譽授予碳化硅襯底材料技術,。

半導體年度獎由日本最具公信力的半導體產(chǎn)業(yè)專業(yè)媒體《電子器件產(chǎn)業(yè)新聞》主辦,，旨在從全球范圍內(nèi)表彰在設備、器件及材料三大領域的杰出技術創(chuàng)新,，其獎項以嚴苛的評選標準和極高的行業(yè)權威性著稱,。在歷屆獲獎企業(yè)名單中，英偉達,、索尼,、美光等國際產(chǎn)業(yè)巨頭，以及東芝,、住友電工,、昭和電工等日企，是這份“黃金榜單”中的�,？�,。

天岳先進此次歷史性獲獎的核心驅(qū)動力，源于其長期聚焦于碳化硅襯底材料技術,，并在此領域?qū)崿F(xiàn)了持續(xù)的創(chuàng)新突破,。天岳先進長期深耕襯底材料研發(fā),，其在材料晶體生長、缺陷控制,、加工工藝等核心環(huán)節(jié)取得的一系列突破性進展,，不僅攻克了大尺寸化等世界級難題，更在材料性能上達到了國際領先水平,，成為全球半導體材料領域的創(chuàng)新標桿,。

超芯星的碳化硅長晶技術獲國際金獎！

近日,，在第50屆日內(nèi)瓦國際發(fā)明展上,，江蘇超芯星半導體有限公司（簡稱：超芯星）憑借自主研發(fā)的碳化硅長晶技術斬獲金獎！

超芯星是國內(nèi)領先的第三代半導體碳化硅材料全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè),，專注于碳化硅（SiC）襯底全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)與生產(chǎn),。自公司落地南京后，超芯星研發(fā)團隊不斷攻克難關,，先后突破了低應力,、低缺陷晶體生長及低損耗晶片加工技術等多項關鍵技術難點，形成了一整套具有自主知識產(chǎn)權的工藝,，覆蓋設備,、粉料、晶體生長晶體加工及晶片檢測全流程,。

目前,，碳化硅長晶技術主要有液相法、物理氣相法（PVT）和高溫化學氣相沉積法（HTCVD）三類,，每種方法都有其獨特的工藝步驟,、優(yōu)點和挑戰(zhàn)。其中HTCVD法具備連續(xù)性供料的先進特性,，能夠確保生產(chǎn)過程的穩(wěn)定與高效,；所產(chǎn)出晶體的純度極高，極大地提升了碳化硅材料的性能與質(zhì)量,；同時,，其生長速度之快也為大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化應用鋪就了堅實道路。

而據(jù)超芯星半導體創(chuàng)始人,、CEO劉欣宇介紹,，如今超芯星已經(jīng)成為全世界‘唯三’、全國唯一掌握HTCVD創(chuàng)新技術的創(chuàng)業(yè)公司,，也是國際少數(shù)幾家能夠批量供應碳化硅襯底片的企業(yè)之一,。

來源：天岳先進、南京日報

（中國粉體網(wǎng)編輯整理/空青）

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