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SiC單晶

推薦又一國(guó)內(nèi)企業(yè)實(shí)現(xiàn)8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破

中國(guó)粉體網(wǎng)訊 4月9日,,世紀(jì)金芯宣布他們實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破,!世紀(jì)金芯在晶體尺寸,、厚度,、缺陷控制,、生長(zhǎng)速率,、制備成本,、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績(jī),。2024年2月,,世紀(jì)金芯半導(dǎo)體8英寸SiC加工線正式貫通并進(jìn)入小[更多]

資訊 碳化硅襯底第三代半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC單晶世紀(jì)金芯
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