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垂直立式真空管式爐PECVD系統(tǒng)品牌
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化學氣相沉積系統(tǒng)(CVD)為了使化學反應能在較低的溫度下進行,，利用了等離子體的活性來促進反應,，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）,， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)廣泛應用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜,、Si3N4薄膜,、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜,、光學薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學反應能在較低的溫度下進行,，利用了等離子體的活性來促進反應，環(huán)境溫度在100-300℃,，但反應氣體在輝光放電等離子體中能受激分解,、離解和離化,，從而大大提高了反應物的活性，這些具有反應活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,，發(fā)生非平衡的化學反應沉積生成薄膜,，因此這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng),，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐,、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計,、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成,。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx,、非晶硅,、微晶硅、納米硅,、SiC,、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型,、n型摻雜薄膜,。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性,、粘附性,、絕緣性?；瘜W氣相沉積系統(tǒng)廣泛應用于刀具,、高精模具、硬質(zhì)涂層,、高端裝飾等領(lǐng)域,。
4路質(zhì)子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
**工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質(zhì) | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉,、材料保溫性能好,、反射率高、溫場均衡,，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組,，高真空復合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質(zhì)子流量計 | |
高精度質(zhì)量流量計可準確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表,，內(nèi)置氣體混氣系統(tǒng),， 不銹鋼針閥計管道，標準雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W**可調(diào)±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關(guān)配件 | 氣煉石英爐管,、真空法蘭,、高溫手套、坩堝鉤,、熱電偶,、防燙罩、剛玉坩堝,、爐塞 |
電氣認證 | CE認證 |
售后服務 | 12個月質(zhì)保,、終身保修 |
暫無數(shù)據(jù)！
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