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砷化稼晶片
可提供高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer定制服務(wù)。
尺寸：1",2",3",4",6";
晶向：(100),(111)和偏2°,、4°,、6°、10°,、16°等各種偏角,；
類型：N-type摻Si,P- type摻Zn,半絕緣Undope;
厚度：100um、120um,、350um,、400um、500um,、600um,、625um;
提供“激光領(lǐng)域”用高質(zhì)量超薄雙拋GaAs;提供光學(xué)透過可用的雙拋半絕緣GaAs;
提供高質(zhì)量低位錯(cuò)的EPD<500、<300,、<100,、<50的高質(zhì)量LD級(jí)外延用GaAs;
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