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氮化鎵GaN
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型號

氮化鎵GaN

品牌

江蘇新越

產(chǎn)地

江蘇

樣本

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江蘇新越半導(dǎo)體科技有限公司

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氮化鎵GaN

提供氮化鎵晶片定制加工服務(wù)

GaN氮化鎵晶片常用于發(fā)光二極管的二元Ⅲ/V直接帶隙半導(dǎo)體,。該化合物是一種非常堅硬的材料,具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。其3.4eV的寬帶隙為光電,,高功率和高頻器件的應(yīng)用提供了特殊的性能,。例如,GaN是使紫色(405nm)激光二極管成為可能的基板,,而不使用非線性光學(xué)倍頻,。它對電離輻射的敏感性很低(與其他Ⅲ族氮化物一樣),使其成為衛(wèi)星太陽能電池陣列的合適材料。由于設(shè)備在輻射環(huán)境中表現(xiàn)出穩(wěn)定性,,因此軍事和太空應(yīng)用也可能受益,。由于GaN晶體管可以在更高的溫度下工作,并且工作電壓比砷化鎵(GaAs)晶體管高得多,,因此它們可以在微波頻率下制造理想的功率放大器,。此外,GaN為THz器件提供了有前景的特性,。

  • 尺寸:2-6寸

  • 晶向:C平面(0001)朝向M軸的偏離角0.35°±0.15°

  • 表面:拋光

  • 厚度(um):350±25


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