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碳化硅SiC
供應2,3,4,6英寸,，切割小塊的SiC碳化硅晶片,。
碳化硅(SiC)是一種性能優(yōu)越的新型化合物半導體材料。
碳化硅半導體具有大禁帶寬度(約為硅的3倍),、高臨界場強(約為硅的10倍),、
高熱導率(約為硅的3倍)等優(yōu)良特性,，是制作高溫、
高頻和大功率電力電子器件(電力芯片)的理想半導體材料,。
同時,，也是僅次于鉆石的優(yōu)良的半導體材料。
目前我們還提供標準的2英寸,、3英寸,、4英寸和6英寸碳化硅外延晶片，
用于肖特基二極管(SBD),、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET),、
結(jié)型場效應晶體管(JFET)和雙極結(jié)型晶體管(BJT)的制作。
這些電力電子器件可廣泛應用于包括太陽能逆變器,、風
力發(fā)電,、混合動力及電動汽車等綠色能源和節(jié)能系統(tǒng)。
尺寸：2,3,4,6英寸,；
晶向：On axis：±0.5°for 6H-N/4H-N/4H-SI/6H-SI
Off axis：4.0° toward 1120±0.5°for4H-N/4H-SI
厚度(um)：350±25
直徑(mm)：50.8±0.3
表面粗糙度：Polish Ra≤1nm,，CMP Ra≤0.5nm
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