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原子層沉積（Atomic layer deposition,， ALD）是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替的通入反應(yīng)器，化學(xué)吸附在沉積襯底上并反應(yīng)形成沉積膜的一種方法,，是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式逐層的鍍?cè)谝r底表面的方法,。因此，它是一種真正的“納米”技術(shù),，以精確控制方式實(shí)現(xiàn)納米級(jí)的超薄薄膜沉積,。由于ALD利用的是飽和化學(xué)吸附的特性，因此可以確保對(duì)大面積,、多空,、管狀、粉末或其他復(fù)雜形狀基體的高保形的均勻沉積,。

美國ARRADIANCE公司的GEMStar XT系列臺(tái)式 ALD系統(tǒng),，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可*多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積,。GEMStar XT全系配備熱壁,，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱,，橫向噴頭等設(shè)計(jì),， 使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下,。高溫度穩(wěn)定度的設(shè)計(jì)不僅實(shí)現(xiàn)在 8英寸基體上膜厚的不均勻性小于1%,，而且更適合對(duì)超高長(zhǎng)徑比的孔徑結(jié)構(gòu)等3D結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)均勻薄膜覆蓋，可實(shí)現(xiàn)對(duì)高達(dá)1500：1長(zhǎng)徑比微納深孔內(nèi)部的均勻沉積,。

GEMStar XT 產(chǎn)品特點(diǎn)：

* 300℃ 鋁合金熱壁，對(duì)流式溫度控制

* 175℃溫控150ml前驅(qū)體瓶,，200℃溫控輸運(yùn)支管

* 可容納多片4,，6，8英寸樣品同時(shí)沉積

* 可容納1.25英寸/32mm厚度的基體

* 標(biāo)準(zhǔn)CF-40接口

* 可安裝原位測(cè)量或粉末沉積模塊等選件

* 等離子體輔助ALD插件

* 多種配件可供選擇

GEMStar XT 產(chǎn)品型號(hào)：

GEMStar -4 XT：

* **4英寸/100 mm基片沉積

* 單路前驅(qū)體輸運(yùn)支管， 4路前驅(qū)體瓶接口

* 不可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -6/8 XT：

* **6英寸(150mm)/8英寸(200mm)基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管,， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 可升級(jí)為等離子體增強(qiáng)ALD

GEMStar -8 XT-P：

* **8英寸/200mm基片沉積

* 雙路前驅(qū)體輸運(yùn)支管,， 8路前驅(qū)體瓶和CF-40接口

* 裝備高性能ICP等離子發(fā)生器

13.56 MHz 的等離子源非常緊湊，只需風(fēng)冷,，**運(yùn)行功率達(dá)300W,。

* 標(biāo)配3組氣流質(zhì)量控制計(jì)（MFC）控制的等離子氣源線，和一條MFC控制的運(yùn)載氣體線,，使難以沉積的氧化物,、氮化物、金屬也可以實(shí)現(xiàn)均勻沉積,。

豐富配件：

多樣品托盤：

* 多樣品夾具,，樣品尺寸（8"， 6",， 4"）向下兼容,。

* 多基片夾具，*多同時(shí)容納9片基片,。

溫控?zé)?/em>托盤：

* 可加熱樣品托盤,，**溫度500℃，可實(shí)現(xiàn)熱盤-熱壁復(fù)合加熱方式,。

尾氣處理系統(tǒng)：

臭氧發(fā)生器：

粉末旋轉(zhuǎn)沉積罐模塊：

配合熱壁加熱方式,，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)對(duì)微納粉末樣品全保型薄膜均勻沉積包覆。

手套箱接口：

可從側(cè)面或背面**接入手套箱,，與從底部接入手套箱不同,，不占用手套箱空間。由于主機(jī)在手套箱側(cè)面,，反應(yīng)過程中不對(duì)手套箱有加熱效應(yīng),，不影響手套箱內(nèi)溫度。